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ST STF12NK60Z
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Marques: STMicroelectronics, Inc
Pièce Fabricant #: STF12NK60Z
Fiche de données: STF12NK60Z Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-220FP
Statut RoHS:
État des stocks: 2684 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,133 | $1,133 |
| 10 | $0,966 | $9,660 |
| 50 | $0,874 | $43,700 |
| 100 | $0,770 | $77,000 |
| 500 | $0,724 | $362,000 |
| 1200 | $0,704 | $844,800 |
In Stock:2684 PCS
STF12NK60Z Description générale
The SuperMESH series is obtained through an extreme optimization of STs well established strip-based PowerMESH layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, specialties is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding application.Such series complements ST full range of high voltage Power MOSFETs.
Caractéristiques
- Extremely high dv/dt capability
- Gate charge minimized
- 100% avalanche tested
- Very good manufacturing repeatability
- Very low intrinsic capacitances
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 640 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 59 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | SuperMESH | Series: | STF12NK60Z |
| Packaging: | Tube | Brand: | STMicroelectronics |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 31.5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 9 S | Height: | 9.3 mm |
| Length: | 10.4 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 18.5 ns | Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22.5 ns | Width: | 4.6 mm |
| Unit Weight: | 0.068784 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The STF12NK60Z is a power MOSFET chip designed for high voltage applications. It offers low ON resistance and high energy efficiency, making it suitable for use in various power electronic devices. The chip has a maximum voltage rating of 600V and a continuous drain current of 12A. It is commonly used in industrial and automotive applications that require efficient power control and management.
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Features
The STF12NK60Z is a power MOSFET transistor. It has a drain-source voltage rating of 600V, a continuous drain current of 10A, and a low on-resistance value. It is designed to be used in various applications including power supplies, motor controls, and lighting systems. -
Pinout
The STF12NK60Z is a power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the STF12NK60Z is STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor and electronics company headquartered in Geneva, Switzerland. It is one of the largest semiconductor manufacturers globally, producing a wide range of products including integrated circuits, microcontrollers, and power management solutions for various industries. -
Application Field
The STF12NK60Z is a power MOSFET transistor that can be used in various application areas, including power supplies, motor control, lighting systems, battery chargers, and automotive applications. -
Package
The STF12NK60Z chip is in a TO-220 package type, which refers to the shape and configuration of the casing that protects the chip. It has a form of through-hole mounting, which means the leads go through the circuit board. The size of the package is approximately 10.2 mm x 15.3 mm.
Fiche de données PDF
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