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ST STP180N4F6
N-Channel 40 V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Marques: Stmicroelectronics
Pièce Fabricant #: STP180N4F6
Fiche de données: STP180N4F6 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-220
type de produit: Integrated Circuits (ICs)
Statut RoHS:
État des stocks: 3993 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureSTP180N4F6 Description générale
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.
Caractéristiques
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| ECCN US | EAR99 | ECCN EU | NEC |
| Packing Type | Tube | RoHs compliant | Ecopack2 |
| Grade | Industrial |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The STP180N4F6 chip is a power MOSFET designed for high-current applications. It has a low on-resistance and is capable of handling high voltages. The chip is commonly used in power supplies, motor drives, and other power electronics applications. It offers efficient performance with low power losses and high reliability.
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Equivalent
Equivalent products of STP180N4F6 chip are IPP180N04S2L-02, BSC018N04LSATMA1, BSP180N04S2L-03, and STP192N4F6. These chips are all part of the same family and have similar features and specifications. -
Features
The STP180N4F6 is a Power MOSFET transistor that features a drain current of 180A, low on-resistance of 4.6mΩ, and a gate threshold voltage of 2.5V. It is designed for high-performance applications where low conduction losses and efficient power conversion are crucial. -
Pinout
The STP180N4F6 is a power MOSFET transistor. It has 8 pins (TO-220 package) and is commonly used in high power applications. The pin count and function are as follows: Gate (G), Drain (D), Source (S), and Body Diode (BD). The pins are used for controlling the transistor and connecting it within a circuit. -
Manufacturer
The manufacturer of the STP180N4F6 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of electronic products and solutions. -
Application Field
The STP180N4F6 is a power MOSFET transistor commonly used in various applications such as automotive, industrial, and consumer electronics. It is suitable for use in power supplies, motor control, lighting systems, and inverters, among others. With its high voltage and current handling capabilities, it provides efficient and reliable performance in demanding applications. -
Package
The package type of the STP180N4F6 chip is PowerFLAT™ 8x8 HV. Its form is rectangular, and its size is 8 mm x 8 mm.
Fiche de données PDF
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