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$5000
Microchip VN2210N2
N-Channel 100 V 1.7A (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Microchip
Pièce Fabricant #: VN2210N2
Fiche de données: VN2210N2 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-39-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $15,089 | $15,089 |
200 | $5,839 | $1167,800 |
500 | $5,635 | $2817,500 |
1000 | $5,533 | $5533,000 |
En stock: 9 458 PC
VN2210N2 Description générale
Built with a vertical DMOS structure and a silicon-gate manufacturing process, the VN2210N2 transistor delivers unrivaled performance in power handling and input impedance. This enhancement-mode device boasts the characteristics of both bipolar transistors and MOS devices, providing a unique blend of high breakdown voltage, low input capacitance, and fast switching speeds. Its low threshold voltage and positive temperature coefficient make it a versatile option for applications where reliability is paramount. Whether used for amplifying or switching purposes, this transistor offers a solution that is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown
Caractéristiques
- High frequency and high accuracy
- Safe operating area and thermal shutdown
- Low EMI and RFI sensitivity
Application
SWITCHING![Microchip Inventory Microchip Inventory](/files/uploads/inventory/MICROCHIP/MICROCHIP.jpg)
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Microchip | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-39-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 1.7 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V | Qg - Gate Charge: | - |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 6 W | Channel Mode: | Enhancement |
Packaging: | Bulk | Brand: | Microchip Technology |
Configuration: | Single | Fall Time: | 30 ns |
Height: | 6.6 mm | Length: | 9.4 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 10 ns |
Factory Pack Quantity: | 500 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | FET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Width: | 9.4 mm |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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