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2N3792
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 150 W Through Hole TO-3
Marques: Tt Electronics
Pièce Fabricant #: 2N3792
Fiche de données: 2N3792 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-3-2
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $110,516 | $110,516 |
| 200 | $42,769 | $8553,800 |
| 500 | $41,266 | $20633,000 |
| 1000 | $40,523 | $40523,000 |
En stock: 9 458 PC
2N3792 Description générale
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 150 W Through Hole TO-3
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-3-2 | Transistor Polarity | PNP |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V | Maximum DC Collector Current | 10 A |
| Pd - Power Dissipation | 150 W | Gain Bandwidth Product fT | 4 MHz |
| Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 200 C |
| Brand | TT Electronics - IoT Solutions | Continuous Collector Current | - 10 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 50 at 1 A, 2 V | DC Current Gain hFE Max | 180 at 1 A, 2 V |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 10 |
| Subcategory | Transistors |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The 2N3792 is a high-power silicon NPN transistor chip designed for use in power amplifier and switching applications. It can handle a maximum collector current of 12A and has a voltage rating of 100V. The chip offers good thermal stability and low saturation voltage, making it suitable for various power control applications.
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Equivalent
The equivalent products of the 2N3792 chip are the 2N3791, 2N3793, and 2N3794. -
Features
The 2N3792 is a silicon power transistor with a collector current rating of 10 amperes and a collector-emitter voltage rating of 60 volts. It features a low saturation voltage, high current gain, and a compact TO-66 package. It is commonly used in high-power switching applications and power amplifier circuits. -
Pinout
The 2N3792 is a transistor with a TO-3 package, which typically has three pins. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. -
Manufacturer
The manufacturer of the 2N3792 is Central Semiconductor Corporation. It is a leading manufacturer of discrete semiconductors, providing a wide range of products for the electronics industry. -
Application Field
The 2N3792 is commonly used in applications requiring high-power amplification, such as RF transmitters, linear amplifiers, and audio amplifiers. It can also be used in high-frequency oscillators and general-purpose switching applications. -
Package
The 2N3792 chip is a TO-3 package type, with a transistor form and a size of approximately 10.16 mm x 29.21 mm.
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