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2SJ616-TD-E
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: 2SJ616-TD-E
Fiche de données: 2SJ616-TD-E Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-89
Statut RoHS:
État des stocks: 7 885 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,142 | $1,142 |
| 200 | $0,455 | $91,000 |
| 500 | $0,441 | $220,500 |
| 1000 | $0,433 | $433,000 |
En stock: 7 885 PC
Caractéristiques
- Low ON-resistance.
- Ultrahigh-speed switching.
- 4V drive.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| ECCN (US) | EAR99 | Part Status | Obsolete |
| SVHC | Yes | SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Automotive | No | PPAP | No |
| Category | Power MOSFET | Material | Si |
| Configuration | Single Dual Drain | Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P | Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 | Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6 | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 69@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11@10V | Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 510@10V | Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| Typical Fall Time (ns) | 23.5 | Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 | Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel | Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.5 | Package Width | 2.5 |
| Package Length | 4.5 | PCB changed | 3 |
| Tab | Tab | Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-89 | Pin Count | 4 |
| Lead Shape | Flat |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The 2SJ616-TD-E is a MOSFET transistor designed for high-speed switching applications. It has a low on-resistance and a high breakdown voltage, making it suitable for use in power management circuits, motor control, and LED drivers. This chip is part of the 2SJ series of transistors produced by Renesas Electronics Corporation.
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Equivalent
Some equivalent products of 2SJ616-TD-E chip are 2SJ515, 2SJ518, 2SJ525, and 2SJ605. These devices have similar specifications and can be used as replacements for the 2SJ616-TD-E chip in various electronic applications. -
Features
The 2SJ616-TD-E is a power MOSFET designed for high-speed switching and low on-resistance. It has a maximum drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 3.5A. This MOSFET also has a low threshold voltage and is suitable for use in various applications such as power management and DC-DC converters. -
Pinout
The pin count of 2SJ616-TD-E is 3 pins. The function of this MOSFET transistor is as a N-channel power MOSFET. It is used for switching and amplifying high power electronic signals. -
Manufacturer
Rohm Semiconductor is the manufacturer of 2SJ616-TD-E. Rohm Semiconductor is a Japanese company that designs and manufactures integrated circuits and semiconductor devices for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. They are known for their high-quality and reliable semiconductor products. -
Application Field
2SJ616-TD-E is mainly used in audio amplifiers, motor control systems, and power management applications due to its high power handling capabilities and low on-resistance. It can also be used in voltage regulators, switch mode power supplies, and LED lighting systems for efficient power delivery and control. -
Package
The 2SJ616-TD-E chip is a MOSFET transistor with a TO-220F package type, through-hole mounting form, and a size of 10.4mm x 16.4mm x 3.00mm.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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