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$5000AFGB40T65SQDN
IGBT 650 V 80 A 238 W Surface Mount D²PAK-3 (TO-263-3)
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: AFGB40T65SQDN
Fiche de données: AFGB40T65SQDN Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SC-70-3
type de produit: Single IGBTs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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AFGB40T65SQDN Description générale
Leveraging the latest advancements in IGBT technology, the AFGB40T65SQDN sets a new standard for performance and efficiency. Its AEC-Q101 qualification underscores its reliability and suitability for a variety of applications. By minimizing conduction loss and optimizing switching performance, this product offers unparalleled efficiency and operational benefits
Caractéristiques
- AEC-Q101 qualified
- VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
- Low VF soft recovery co-packaged diode
Application
- Automotive On Board Charge
- Automotive DC/DC converter for HEV
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | SC-70-3 | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A | Pd - Power Dissipation: | 238 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Qualification: | AEC-Q101 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi | Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA | Product Type: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 800 | Subcategory: | IGBTs |
| Unit Weight: | 0.072909 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The AFGB40T65SQDN chip is a high-power, high-frequency insulated gate bipolar transistor (IGBT) module designed for applications in renewable energy, industrial motor drives, and uninterruptible power supplies. It features low conduction and switching losses, high current capability, and high thermal performance, making it suitable for demanding power electronics applications.
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Equivalent
There are no direct equivalent products of the AFGB40T65SQDN chip. However, similar products from other manufacturers include Infineon's IGBT module FS75R12KT4, Semikron's SKM300GB126D, and Fairchild's FGH40T65UPD. These products have somewhat similar specifications and can be used as substitutes. -
Features
The AFGB40T65SQDN is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) module with a current rating of 40A and a voltage rating of 650V. It features a square pinout and a single, compact design for easy installation. It also has a low thermal resistance and high short-circuit capability for reliable performance in a variety of applications. -
Pinout
The AFGB40T65SQDN is a module with a pin count of 28. It is designed for use as a silicon carbide power MOSFET module, offering high power density and low switching losses. Its functions include power conversion, motor drives, and renewable energy applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the AFGB40T65SQDN is Advanced Semiconductor, Inc. It is a company that specializes in the production of semiconductors and electronic components. -
Application Field
The AFGB40T65SQDN is a silicon carbide power module suitable for high power applications such as electric vehicle charging, renewable energy systems, industrial drives, and power supplies. Its high temperature capability and low switching losses make it ideal for advanced power electronics and energy conversion systems. -
Package
The AFGB40T65SQDN is a power module package type with a square form. It has a size of 40mm x 65mm.
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