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NXP MRFE6S9060NR1

RF Mosfet 28 V 450 mA 880MHz 21.1dB 14W TO-270-2

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: NXP

Pièce Fabricant #: MRFE6S9060NR1

Fiche de données: MRFE6S9060NR1 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-270

type de produit: RF FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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MRFE6S9060NR1 Description générale

The MRFE6S9060NR1 is a powerful LDMOS transistor engineered for demanding applications in mobile radio, cellular base stations, and wireless communications systems. With a frequency range of 860-960 MHz, it can deliver an impressive 60 watts of output power, making it a highly capable and versatile component for high-power applications. Its high gain of 18.5 dB ensures superior linearity and efficiency, catering to the needs of advanced communication systems. Moreover, the transistor boasts a drain efficiency of 60%, effectively maximizing power output while minimizing heat dissipation, resulting in reliable and consistent performance

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors
RoHS: Details Transistor Polarity: N-Channel
Technology: Si Id - Continuous Drain Current: 1.5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 66 V Rds On - Drain-Source Resistance: -
Operating Frequency: 1 GHz Gain: 21.1 dB
Output Power: 14 W Minimum Operating Temperature: - 65 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TO-270 Packaging: MouseReel
Brand: NXP Semiconductors Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single Height: 2.08 mm
Length: 9.7 mm Moisture Sensitive: Yes
Product Type: RF MOSFET Transistors Series: MRFE6S9060N
Factory Pack Quantity: 500 Subcategory: MOSFETs
Type: RF Power MOSFET Vgs - Gate-Source Voltage: - 500 mV, 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.2 V Width: 6.15 mm
Part # Aliases: 935309637528

Expédition

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
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Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The MRFE6S9060NR1 chip is a high-power RF transistor designed for use in industrial and commercial applications. It operates at a frequency range of 900 MHz to 960 MHz and provides high linearity and efficiency. The chip offers a max output power of 60 watts, making it suitable for various RF power amplifier designs. It is commonly used in wireless communication systems and other high-power RF applications.
  • Equivalent

    There are no direct equivalent products of the MRFE6S9060NR1 chip. However, there are similar products available from other manufacturers, such as the MRF6S9060NR1 from Freescale Semiconductor or the BLF6G27-150 from NXP Semiconductors, which may serve as alternatives. These options should be researched for compatibility and specifications before considering them as replacements.
  • Features

    The MRFE6S9060NR1 is a high-power RF transistor that operates in the frequency range of 860-960 MHz. It has a power output of 60 Watts and offers high gain and efficiency. It is designed for use in applications such as mobile radio, base station, and broadcast systems.
  • Pinout

    The MRFE6S9060NR1 is a 60-watt RF power field-effect transistor (FET) with a pin count of 4. The pin configuration includes a gate, drain, and source, which are the standard pins found in power FET devices. This transistor is commonly used in high-frequency applications such as wireless communications and radar systems.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MRFE6S9060NR1 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a multinational semiconductor manufacturer that specializes in providing high-performance mixed-signal electronics and embedded systems solutions.
  • Application Field

    The MRFE6S9060NR1 is a high-frequency transistor designed for use in industrial and scientific applications, including laser drivers, plasma generators, and radio frequency (RF) amplifiers.
  • Package

    The MRFE6S9060NR1 chip has a package type called "MO-150AB" with a form factor known as "LDMOS." It is a high-voltage, high-power RF power field-effect transistor (FET) with a size of approximately 9.25mm x 22.6mm x 6.1mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

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    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

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