Commandes de plus de
$5000NXP MRFE6S9060NR1
RF Mosfet 28 V 450 mA 880MHz 21.1dB 14W TO-270-2
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: NXP
Pièce Fabricant #: MRFE6S9060NR1
Fiche de données: MRFE6S9060NR1 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-270
type de produit: RF FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MRFE6S9060NR1 Description générale
The MRFE6S9060NR1 is a powerful LDMOS transistor engineered for demanding applications in mobile radio, cellular base stations, and wireless communications systems. With a frequency range of 860-960 MHz, it can deliver an impressive 60 watts of output power, making it a highly capable and versatile component for high-power applications. Its high gain of 18.5 dB ensures superior linearity and efficiency, catering to the needs of advanced communication systems. Moreover, the transistor boasts a drain efficiency of 60%, effectively maximizing power output while minimizing heat dissipation, resulting in reliable and consistent performance
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Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 66 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | - |
Operating Frequency: | 1 GHz | Gain: | 21.1 dB |
Output Power: | 14 W | Minimum Operating Temperature: | - 65 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | TO-270 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | NXP Semiconductors | Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single | Height: | 2.08 mm |
Length: | 9.7 mm | Moisture Sensitive: | Yes |
Product Type: | RF MOSFET Transistors | Series: | MRFE6S9060N |
Factory Pack Quantity: | 500 | Subcategory: | MOSFETs |
Type: | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 500 mV, 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V | Width: | 6.15 mm |
Part # Aliases: | 935309637528 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MRFE6S9060NR1 chip is a high-power RF transistor designed for use in industrial and commercial applications. It operates at a frequency range of 900 MHz to 960 MHz and provides high linearity and efficiency. The chip offers a max output power of 60 watts, making it suitable for various RF power amplifier designs. It is commonly used in wireless communication systems and other high-power RF applications.
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Equivalent
There are no direct equivalent products of the MRFE6S9060NR1 chip. However, there are similar products available from other manufacturers, such as the MRF6S9060NR1 from Freescale Semiconductor or the BLF6G27-150 from NXP Semiconductors, which may serve as alternatives. These options should be researched for compatibility and specifications before considering them as replacements. -
Features
The MRFE6S9060NR1 is a high-power RF transistor that operates in the frequency range of 860-960 MHz. It has a power output of 60 Watts and offers high gain and efficiency. It is designed for use in applications such as mobile radio, base station, and broadcast systems. -
Pinout
The MRFE6S9060NR1 is a 60-watt RF power field-effect transistor (FET) with a pin count of 4. The pin configuration includes a gate, drain, and source, which are the standard pins found in power FET devices. This transistor is commonly used in high-frequency applications such as wireless communications and radar systems. -
Manufacturer
The manufacturer of the MRFE6S9060NR1 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a multinational semiconductor manufacturer that specializes in providing high-performance mixed-signal electronics and embedded systems solutions. -
Application Field
The MRFE6S9060NR1 is a high-frequency transistor designed for use in industrial and scientific applications, including laser drivers, plasma generators, and radio frequency (RF) amplifiers. -
Package
The MRFE6S9060NR1 chip has a package type called "MO-150AB" with a form factor known as "LDMOS." It is a high-voltage, high-power RF power field-effect transistor (FET) with a size of approximately 9.25mm x 22.6mm x 6.1mm.
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