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NXP FDS6685
FDS6685 is a single P-channel MOSFET with a SO-8 package, designed to operate at -30 volts
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDS6685
Fiche de données: FDS6685 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOIC-8
Statut RoHS:
État des stocks: 3 487 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,421 | $1,421 |
| 200 | $0,551 | $110,200 |
| 500 | $0,530 | $265,000 |
| 1000 | $0,522 | $522,000 |
En stock: 3 487 PC
FDS6685 Description générale
The FDS6685 is a high-performing P Channel Mosfet engineered for demanding applications. Its impressive specs include a Drain Source Voltage (Vds) of 30V, a Continuous Drain Current (Id) of 8.8A, and an On Resistance (Rds(On)) of 0.02Ohm. Designed for surface mount integration, this transistor is a convenient choice for electronic systems, offering reliability and efficiency. And with its RoHS Compliance, you can be sure that it meets stringent environmental regulations, making it a responsible choice for your projects
Caractéristiques
- Pulse-width modulation (PWM)
- High-frequency operation for high-speed applications
- Low gate charge for minimized power loss
Application
- Remote Control Capability
- Smart Power Management
- Fault Protection Feature
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 8.8 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 20 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 25 ns |
| Forward Transconductance - Min | 24 S | Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 13.5 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns | Width | 3.9 mm |
| Part # Aliases | FDS6685_NL |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Pièces équivalentes
Pour le FDS6685 composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:
Numéro d'article
Marques
Emballer
Description
Numéro d'article : STP6NK60ZFP
Marques :
Emballer : TO-220FP
Description : MOSFET, N CHANNEL, 600V, 6A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:6A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):1.2ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.75V, MSL:-
Numéro d'article : IRF840S
Marques :
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Description :
Numéro d'article : IRF6645TR1PBF
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Description :
Numéro d'article : IRF6634TR1PBF
Marques :
Emballer :
Description :
Numéro d'article : FQU6N10
Marques :
Emballer :
Description :
Numéro d'article : FQU6N10TU
Marques :
Emballer :
Description :
Points de pièce
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The FDS6685 is a power MOSFET chip commonly used in electronic devices for switching and amplification applications. It operates at high efficiency and can handle high power levels, making it ideal for use in power management circuits. Its compact size and low power consumption make it a popular choice for various electronics applications.
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Equivalent
The equivalent products of FDS6685 chip are IRFB4410, IRFB7446, PSMN015-80P, and SUP75P03-07. These chips are suitable replacements as they have similar specifications and can perform the same functions as the FDS6685 chip. -
Features
FDS6685 is a P-channel PowerTrench MOSFET with a maximum drain-source voltage of -30V, continuous drain current of -17A, low On-resistance of 0.06 Ohm, and a fast switching speed. It is suitable for use in power management applications such as DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits. -
Pinout
The FDS6685 is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include Gate 1, Source 1, Drain 1, Source 2, Gate 2, Drain 2, GND, and VCC. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The FDS6685 is manufactured by Fairchild Semiconductor, a company that specializes in manufacturing power semiconductors and integrated circuits for a wide range of applications, including mobile devices, automotive, and industrial equipment. Fairchild Semiconductor is a global company known for its high-quality and reliable products in the semiconductor industry. -
Application Field
The FDS6685 is commonly used in motor and drive control applications, including industrial automation, robotics, and automotive systems. It is also used in power management applications, such as power supplies and battery charging circuits. Additionally, it is used in electronic appliances and consumer electronics for controlling motors and power distribution. -
Package
The FDS6685 chip is available in a DFN package type, with a dual N&P channel enhanced mode field-effect transistor. It has a compact size of 5mm x 6mm, making it suitable for various electronic applications.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
