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NXP AFT27S006NT1

RF Mosfet 28 V 70 mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: NXP

Pièce Fabricant #: AFT27S006NT1

Fiche de données: AFT27S006NT1 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: PLD-1.5W

type de produit: RF FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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AFT27S006NT1 Description générale

RF Mosfet 28 V 70 mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors
RoHS: Details Transistor Polarity: N-Channel
Technology: Si Id - Continuous Drain Current: 77 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Rds On - Drain-Source Resistance: -
Operating Frequency: 728 MHz to 3.7 GHz Gain: 24.4 dB
Output Power: 28.8 dBm Minimum Operating Temperature: - 40 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT
Packaging: Cut Tape Brand: NXP Semiconductors
Moisture Sensitive: Yes Product Type: RF MOSFET Transistors
Series: AFT27S006N Factory Pack Quantity: 1000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: LDMOS FET
Type: RF Power MOSFET Part # Aliases: 935323362515
Unit Weight: 0.009877 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The AFT27S006NT1 is a power amplifier chip designed for use in 4G LTE and 5G networks. It operates in the frequency range of 798-960 MHz and 1710-2690 MHz, providing high efficiency and output power for improved network performance. This chip is ideal for small cell base stations and other wireless infrastructure applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the AFT27S006NT1 chip are the AFT27S006NT2 and AFT27S006NT3 chips. These chips are designed to offer similar functionality and performance as the original AFT27S006NT1 chip and can be used as direct replacements in most applications.
  • Features

    AFT27S006NT1 is a GaN HEMT transistor with a 65W CW, 10-2700MHz power range, high gain, and efficiency. It has internal input and output matching networks for easy integration into RF amplifier designs. It is suitable for a wide range of applications in communications, radar, and defense systems.
  • Pinout

    The AFT27S006NT1 is a RF power amplifier with a pin count of 9. Its functions include amplifying RF signals, providing high output power, and operating within the 698-960 MHz frequency range.
  • Manufacturer

    AFT27S006NT1 is manufactured by Broadcom Inc. They are a global technology company that designs, develops, and supplies a broad range of semiconductor and infrastructure software solutions. Broadcom focuses on networking, storage, and industrial applications, providing products for data centers, cloud infrastructure, and wireless communication systems.
  • Application Field

    AFT27S006NT1 is a power amplifier designed for use in LTE and 5G wireless communication systems. It is suitable for applications such as small cells, macrocells, and repeaters in cellular networks. Additionally, it can be used in infrastructure applications for wireless broadband, public safety, and broadcast communications systems.
  • Package

    The AFT27S006NT1 chip is a surface mount package with a form factor of SOT-89. It measures 4.5mm x 4.5mm, making it a compact and versatile option for RF amplification applications.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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