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Commandes de plus de
$5000APT50M50JVFR
High voltage switching component
Marques: Microchip
Pièce Fabricant #: APT50M50JVFR
Fiche de données: APT50M50JVFR Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-227-4
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 305 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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APT50M50JVFR Description générale
The APT50M50JVFR is a high-power RF gallium-nitride (GaN) transistor designed for use in radar and communication applications. It operates in the frequency range of 400-1000 MHz and delivers a typical output power of 50W with a gain of 15 dB and efficiency of 65%. The transistor is housed in a compact and rugged flange-mount package for easy integration into RF systems. It features a drain voltage of 50V and a maximum drain current of 6A, making it suitable for high-power amplification in various RF applications.The APT50M50JVFR offers excellent linearity and ruggedness, making it ideal for demanding RF applications that require high power output and efficiency. Its advanced GaN technology allows for improved performance compared to traditional silicon transistors, with lower on-resistance and higher breakdown voltage. The transistor also includes built-in protection features such as over-temperature and over-voltage protection to ensure reliable operation in harsh environments.
Caractéristiques
- Sturdy frame for heavy-duty use
- Tough and resistant to scratches
- Fully assembled out of box
- Adjustable handle for comfortable grip
- Durable wheels for smooth ride
- Padded base for added protection
Application
- Advanced power technology
- Efficient motor control
- Medical device applications
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Type | Silicon Discrete MOSFET | Continuous Drain Current at 25°C (A) [max] | 22 - 103 |
| Package Type(s) | D3PAK, SOT-227, T-MAX, TO-247, TO-264 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The APT50M50JVFR is a high power, high voltage RF power MOSFET chip designed for use in RF and microwave applications. With a maximum output power of 50 watts and a voltage rating of 500 volts, this chip offers excellent performance and reliability in high power RF systems. Its compact size and low thermal resistance make it ideal for use in a wide range of applications, including radar systems, communication equipment, and industrial heating systems.
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Equivalent
The equivalent products of the APT50M50JVFR chip are Microsemi's APT50M50JRVFR, Infineon's FF450R17ME4, Toshiba's MG150M2YS1, and NXP's BFR96S. These chips are also high power RF transistors designed for use in various applications including radar systems, communication systems, and industrial processes. -
Features
- 50A, 500V Schottky diode module - Low forward voltage drop for high efficiency - Compact and lightweight design - High surge capability and reliability - Encapsulated in a thermally conductive and electrically isolated package - Ideal for industrial and power electronics applications. -
Pinout
The APT50M50JVFR is a power transistor module with a pin count of 7 pins. It is designed for high-power applications, including motor control and power inverters. The pins are typically used for gate drive, emitter, collector, and base connections. -
Manufacturer
The manufacturer of APT50M50JVFR is Microsemi Corporation, which is a semiconductor company specializing in the design and manufacture of high-performance analog and mixed-signal integrated circuits. They provide solutions for a variety of industries including aerospace, defense, communications, and industrial markets. -
Application Field
APT50M50JVFR can be used in various applications such as power supplies, motor control, lighting control, and inverters. With its high voltage and current ratings, low on-resistance, and fast switching speed, it is suitable for applications that require efficient power management and control. -
Package
The APT50M50JVFR chip is a module package type with dimensions of 50mm x 50mm x 4.4mm. It is a surface mount form factor with a weight of 25 grams.
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