Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

BC847BDW1T1G 48HRS

Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: onsemi

Pièce Fabricant #: BC847BDW1T1G

Fiche de données: BC847BDW1T1G Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SC-70-6

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

type de produit: Bipolar Transistor Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
10 $0,045 $0,450
100 $0,036 $3,600
300 $0,032 $9,600
3000 $0,028 $84,000
6000 $0,026 $156,000
9000 $0,024 $216,000

En stock: 9 458 PC

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour BC847BDW1T1G ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

BC847BDW1T1G Description générale

The BC847BDW1T1G is an exceptional Dual NPN Bipolar Transistor designed to meet the demands of general purpose amplifier applications. Its reliable performance and versatility make it a valuable component for a wide range of electronic devices. Housed in the SOT-363/SC-88, this transistor is optimized for low power surface mount applications, offering seamless integration and efficient functionality. With its compact size and high performance, the BC847BDW1T1G is an ideal choice for enhancing the capabilities of electronic products

Caractéristiques

  • Packaging Information:
    Tape and Reel Specifications:
    Reel Size: 3300mm x 165mm
  • Component Orientation:
    Pin 1 Face Up
  • Weight:
    Approximate Weight per Unit: 2.5g ± 10%

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: onsemi Product Category: Bipolar Transistors - BJT
RoHS: Details Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SC-70-6 Transistor Polarity: NPN
Configuration: Dual Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV Maximum DC Collector Current: 100 mA
Pd - Power Dissipation: 380 mW Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: BC847BDW1 Packaging: MouseReel
Brand: onsemi Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200 Height: 0.9 mm
Length: 2 mm Product Type: BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity: 3000 Subcategory: Transistors
Technology: Si Width: 1.25 mm
Unit Weight: 0.000988 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The BC847BDW1T1G chip is a NPN epitaxial silicon transistor used for general-purpose switching and amplification applications. It is housed in a SOT-363 package, making it compact and suitable for use in space-constrained designs. The transistor has a maximum collector current of 100 mA and a maximum collector-emitter voltage of 45 V. Its low voltage drop makes it energy-efficient, and it exhibits high hFE for improved gain in amplification circuits.
  • Equivalent

    Some equivalent products of BC847BDW1T1G chip include BC847B, BC847A, BC847C, BC847BW and BC847AW.
  • Features

    The BC847BDW1T1G is a NPN transistor with a maximum collector current of 100mA, a maximum collector-emitter voltage of 50V, and a maximum power dissipation of 200mW. It has a low collector-emitter saturation voltage, low power dissipation, and high current gain.
  • Pinout

    The BC847BDW1T1G is a dual NPN transistor with a SOT-363 package. It has 6 pins, with Pin 1 as the base of Transistor 1, Pin 2 as the emitter of Transistor 1, Pin 3 as the collector of Transistor 1, Pin 4 as the base of Transistor 2, Pin 5 as the emitter of Transistor 2, and Pin 6 as the collector of Transistor 2.
  • Manufacturer

    The BC847BDW1T1G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading global semiconductor company that offers a broad portfolio of power management, analog, logic, timing, connectivity, discrete, SoC, and custom devices. They provide innovative solutions that enable designers to solve their unique design challenges in various industries including automotive, industrial, consumer, and communications.
  • Application Field

    The BC847BDW1T1G is a dual NPN transistor that is commonly used in a wide range of applications, including amplification and switching circuits. It can be found in various electronic devices and systems, such as audio amplifiers, power supplies, motor drivers, and control circuits, where low-power and high-speed performance is required.
  • Package

    The BC847BDW1T1G chip comes in a SOT-363 package type. Its form is a dual NPN general-purpose switch in a small SMD package. The package size measures approximately 2.1mm x 1.25mm x 0.78mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...