Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

BFS17A,215

RF Transistor NPN 15V 25mA 2.8GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: NXP SEMICONDUCTORS

Pièce Fabricant #: BFS17A,215

Fiche de données: BFS17A,215 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT-23 (TO-236AB)

type de produit: Bipolar RF Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 9 351 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour BFS17A,215 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

BFS17A,215 Description générale

RF Transistor NPN 15V 25mA 2.8GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)

Caractéristiques

  • High surge current capability of 15A
  • Low equivalent on-resistance for improved efficiency
  • Fully compatible with leading power management ICs
  • Robust and reliable in harsh operating environments

Application

  • Primary sectors
  • Main fields of use
  • Key markets served

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Source Content uid BFS17A,215 Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code TO-236 Package Description PLASTIC, SST, 3 PIN
Pin Count 3 Manufacturer Package Code SOT23
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75 Samacsys Manufacturer NXP
Collector Current-Max (IC) 0.025 A Collector-Emitter Voltage-Max 15 V
Configuration SINGLE DC Current Gain-Min (hFE) 25
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 0.3 W Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Qualification Status Not Qualified Reference Standard CECC
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 2800 MHz
Product Status Obsolete Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V Frequency - Transition 2.8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 2.5dB @ 800MHz Power - Max 300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V Current - Collector (Ic) (Max) 25mA
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Base Product Number BFS17

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The BFS17A,215 chip is a high-frequency NPN transistor commonly used in electronic circuits for amplification and switching applications. It is characterized by its low noise and high transition frequency, making it suitable for small signal amplification in RF circuits.
  • Equivalent

    The equivalent products of BFS17A,215 chip are BFS17A,235 and BFS17A,315. These chips are similar in characteristics and functionality, making them suitable replacements for each other in electronic circuit designs.
  • Features

    BFS17A,215 is a NPN Bipolar Transistor with a voltage rating of 45V and a current rating of 500mA. It has a power dissipation of 625mW and a DC current gain (hfe) of 200 to 800. Other features include low saturation voltage and high speed switching capabilities.
  • Pinout

    The BFS17A,215 is a dual NPN common emitter transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. It is designed for use in low power applications and switching circuits.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BFS17A,215 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch-American semiconductor manufacturer specializing in secure connectivity solutions for embedded applications. They provide a broad range of products including microcontrollers, analog and mixed-signal devices for automotive, industrial, and consumer electronics markets.
  • Application Field

    The BFS17A,215 is a NPN bipolar junction transistor commonly used in general purpose switching applications, such as amplifier circuits, current drivers, and voltage regulators. It is suitable for low to medium power applications due to its high voltage, current, and power capability.
  • Package

    The BFS17A,215 chip is in a SOT343 (SC-70) package, with a form of surface mount. It has a size of 1.25mm x 1.00mm x 0.95mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...