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$5000BLF188XRU
BLF188XRU: N-channel RF FET transistor with a voltage tolerance of 135V
Marques: Ampleon
Pièce Fabricant #: BLF188XRU
Fiche de données: BLF188XRU Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-539A
type de produit: RF FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 8 406 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BLF188XRU Description générale
The BLF188XRU transistor emerges as a powerhouse in the realm of UHF broadcast applications, setting a new standard for power, efficiency, and reliability. Capable of delivering an impressive 1400 watts of CW power, this LDMOS transistor operates effectively within a voltage range of 28-32V. With a gain of 16dB at 860MHz, it ensures superior performance in broadcast environments, striking a balance between power and precision. Its durable design and high thermal stability make it a top choice for demanding applications, ensuring consistent performance under challenging conditions. Additionally, the inclusion of input and output matching networks simplifies system design and enhances overall efficiency, underscoring the transistor's adaptability and ease of use. Offering a maximum operating frequency of 1100MHz, the BLF188XRU caters to a broad range of broadcast applications, from television to radio transmitters, with unmatched versatility. Housed in a compact air-cavity ceramic package, it excels in both thermal management and RF performance, making it a premier option for broadcast professionals
Caractéristiques
- Suitable for FM and AM broadcast transmitters
- Ideal for industrial, medical and scientific applications
- Compact and rugged design with low power consumption
- Highly reliable and efficient amplifier solution
Application
- Astronomy research
- Energy-efficient systems
- Automated manufacturing
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
ECCN (US) | EAR99 | Part Status | Active |
HTS | 8541.21.00.95 | Configuration | Dual Common Source |
Channel Mode | Enhancement | Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 2 | Mode of Operation | Pulsed RF |
Process Technology | LDMOS | Maximum Drain Source Voltage (V) | 135 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 11 | Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.25 |
Maximum VSWR | 65 | Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 280 |
Maximum IDSS (uA) | 2.8 | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 80(Typ)@6V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 534@50V | Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 5.5@50V |
Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 212@50V | Output Power (W) | 1400 |
Typical Power Gain (dB) | 24.4 | Maximum Frequency (MHz) | 600 |
Minimum Frequency (MHz) | 10 | Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 225 | Packaging | Bulk |
Mounting | Screw | Package Height | 4.7(Max) |
Package Width | 10.29(Max) | Package Length | 41.28(Max) |
PCB changed | 5 | Supplier Package | SOT-539A |
Pin Count | 5 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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