Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

NXP BLF881

High-gain amplifier for RF signal processing applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Ampleon

Pièce Fabricant #: BLF881

Fiche de données: BLF881 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: LDMOST

type de produit: RF FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 2 282 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour BLF881 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

BLF881 Description générale

BLF881 is a high-power RF transistor designed for use in UHF TV broadcast transmitters, as well as other RF applications in the frequency range of 470 MHz to 860 MHz. It is manufactured by NXP Semiconductors, a leading semiconductor company.

blf881

Caractéristiques

  • Operating frequency range: 470 MHz to 860 MHz
  • Output power: up to 1200 W (PEP)
  • Gain: typically 18 dB
  • Efficiency: typically 60%
  • Voltage: 50 V
  • Package type: ceramic envelope with a bolt-down flange

Application

  • UHF TV broadcast transmitters
  • Cellular base stations
  • Land mobile radio systems
  • Military communications systems

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
ECCN (US) EAR99 Part Status Active
Configuration Single Channel Mode Enhancement
Channel Type N Number of Elements per Chip 1
Mode of Operation DVB-T|2-Tone Class-AB Process Technology LDMOS
Maximum Drain Source Voltage (V) 104 Maximum Gate Source Voltage (V) 13
Maximum VSWR 10 Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 210(Typ)@6.15V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 100@50V Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 1@50V
Typical Output Capacitance @ Vds (pF) 33.5@50V Output Power (W) 140(Typ)
Typical Power Gain (dB) 21 Maximum Frequency (MHz) 860
Minimum Frequency (MHz) 1 Typical Drain Efficiency (%) 49
Minimum Operating Temperature (°C) -65 Maximum Operating Temperature (°C) 200
Mounting Screw Package Height 4.67(Max)
Package Width 5.97(Max) Package Length 20.45(Max)
PCB changed 3 Supplier Package LDMOST
Pin Count 3

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Pièces équivalentes

Pour le BLF881 composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:

Numéro d'article

Marques

Emballer

Description

Numéro d'article :   MRF6VP3450H

Marques :  

Emballer :  

Description :  

Numéro d'article :   BLF888A

Marques :  

Emballer :   SOT539A

Description :   UHF power LDMOS transistor

Numéro d'article :   MRF6VP11KH

Marques :  

Emballer :   NI-123

Description :   NI-1230

Numéro d'article :   MRF6VP121KH

Marques :  

Emballer :  

Description :  

Numéro d'article :   MRF6VP2600H

Marques :  

Emballer :   SMD

Description :   RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

Points de pièce

  • The BLF881 is a high-power RF transistor chip designed for broadband applications. It is specifically designed for use in FM radio and TV transmitters, mobile radio base stations, and other high-frequency amplification systems. This chip offers high gain, wide bandwidth, and excellent linearity, making it suitable for a range of RF power amplifier applications.
  • Equivalent

    The BLF881 chip is equivalent to the MRF154, CCI-104, 2SC3789, and SD1407.
  • Features

    The BLF881 is a high power RF LDMOS transistor featuring a power gain of 16 dB at 870 MHz, a maximum output power of 200 Watts, a drain efficiency of 75%, and a microstrip transmission line input and output for easy integration into RF circuits.
  • Pinout

    The BLF881 is a power amplifier transistor with 10 pins. The function of the BLF881 is to amplify radio frequency (RF) signals.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BLF881 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch global semiconductor manufacturer. They specialize in the development and production of a wide range of semiconductors, including RF power transistors like the BLF881, which are commonly used in various applications including wireless communication systems, industrial and medical applications, and radar systems.
  • Application Field

    The BLF881 is a power transistor that can be used in a variety of applications, including radios, television transmitters, and RF amplifiers. It is commonly used for high-frequency power amplification in the range of 470 to 860 MHz.
  • Package

    The BLF881 chip is available in a single package type, known as the SOT502B package. It has a form of a Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) and has a compact size suitable for various applications.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire BLF881 PDF Télécharger

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • MRFE6S9060NR1

    MRFE6S9060NR1

    NXP

    RF Mosfet 28 V 450 mA 880MHz 21.1dB 14W TO-270-2

  • MJE13009

    MJE13009

    Onsemi

    12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor

  • FQP9N50C

    FQP9N50C

    Onsemi

    Designed for high-frequency and high-reliability p...

  • FQP18N50V2

    FQP18N50V2

    Onsemi

    TO-220 Packaged N-Channel MOSFET for Rail Mounting

  • FQP12N60C

    FQP12N60C

    Onsemi

    High Voltage N-Channel Transistor

  • FQA28N50F

    FQA28N50F

    Onsemi

    Compact power device for small form factor system