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BSM300GA120DN2
Transistor Module for IGBT Transistor with N-Channel, 62MM-2 Tray
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: BSM300GA120DN2
Fiche de données: BSM300GA120DN2 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: 62 mm
Statut RoHS:
État des stocks: 6 378 pièces, nouveau original
type de produit: IGBT Modules
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $425,008 | $425,008 |
| 200 | $164,472 | $32894,400 |
| 500 | $158,692 | $79346,000 |
| 1000 | $155,836 | $155836,000 |
En stock: 6 378 PC
BSM300GA120DN2 Description générale
Infineon's BSM300GA120DN2 power semiconductor module is characterized by its compact and lightweight design, making it easy to integrate into existing systems. Its low switching losses and high efficiency contribute to overall system performance and energy efficiency, while its long lifespan and high reliability reduce maintenance requirements and downtime. With a dual IGBT module, 300A current rating, and 1200V voltage rating, this module is well-suited for electric vehicle drives, industrial drives, and renewable energy systems, offering exceptional power handling capabilities. The advanced thermal management system ensures efficient heat dissipation, enabling reliable operation even in demanding operating conditions, while built-in overcurrent and overtemperature protection circuits provide additional security for the module and the system
Caractéristiques
- High power density for high efficiency applications
- Wide operating temperature range from -40°C to 125°C
- High surge current capability for safe operation
- Suitable for renewable energy systems, industrial drives, and power supplies
Application
- Efficient energy solutions
- Reliable power systems
- Advanced technology uses
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
| Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 430 A | Gate-Emitter Leakage Current | 320 nA |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 kW | Package / Case | 62 mm |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Brand | Infineon Technologies | Height | 36.5 mm |
| Length | 106.4 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
| Technology | Si | Width | 61.4 mm |
| Part # Aliases | SP000100730 BSM300GA120DN2HOSA1 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSM300GA120DN2 is a power module chip used for high-power applications. It is designed for efficient energy conversion in various industries, including industrial, renewable energy, and transportation. The chip offers high power density, reliable performance, and advanced protection features. It is suitable for applications such as motor drives, inverters, and electric vehicle systems.
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Equivalent
Some equivalent products of the BSM300GA120DN2 chip are the SEMIKRON SEMITRANS 3 series modules and the Infineon IGBT modules of the 1EDI series, such as the FF200R12KE3 and FF300R12KE3. -
Features
The BSM300GA120DN2 is a silicon carbide power module designed for high-power applications. Key features include a voltage rating of 1200V, a current rating of 300A, low on-state resistance, high switching frequency, robust and reliable design, and integrated temperature and current sensors for precise control and protection. -
Pinout
The BSM300GA120DN2 is an IGBT power module, specifically used in three-phase inverters. It has 7 pins, including gate-emitter and collector-emitter pins for each of its 3 IGBTs. The module is designed to convert direct current (DC) into alternating current (AC) in a variety of applications, such as motor drives and industrial equipment. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the BSM300GA120DN2. It is a German semiconductor manufacturer that specializes in manufacturing power semiconductors, microcontrollers, and integrated circuits for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSM300GA120DN2 is a semiconductor device that can be used in various application areas, including renewable energy systems such as wind turbines and solar power, electric vehicle charging stations, industrial automation and robotics, and power supplies for data centers. -
Package
The BSM300GA120DN2 chip has a package type of Power Module, a form of Non-insulated, and a size of 42mm x 150mm.
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