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$5000
FCD600N60Z
Power MOSFET with N-channel technology, SUPERFET® II, designed for fast performance with a 600 V rating and 7.4 A current capability
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FCD600N60Z
Fiche de données: FCD600N60Z Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DPAK-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $1,088 | $1,088 |
10 | $0,939 | $9,390 |
30 | $0,855 | $25,650 |
100 | $0,763 | $76,300 |
500 | $0,723 | $361,500 |
1000 | $0,705 | $705,000 |
En stock: 9 458 PC
FCD600N60Z Description générale
By incorporating the latest advancements in SJ MOSFET technology, the FCD600N60Z ensures superior efficiency and reliability in power electronics systems. Its impressive performance characteristics make it well-suited for demanding applications where power management and control are critical. Whether used in high-power servers, telecommunications equipment, flat panel display TVs, desktop computer power supplies, or industrial machinery, this MOSFET delivers consistent and dependable operation
Caractéristiques
- Up to 400V Tolerant
- Min. Gate Trigger Voltage = -4V
- TJ = 175°C at 600V
- Typical Drain Current Limitation
- Source to Gate Pin Insulation Strength
- Max. Forward Voltage Drop @ 10mA
Application
- Great for all your needs.
- Perfect for various uses.
- Versatile and reliable.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DPAK-3 (TO-252-3) |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | Id - Continuous Drain Current | 7.4 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 600 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V | Qg - Gate Charge | 20 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 89 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | SuperFET II | Series | FCD600N60Z |
Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
Fall Time | 8 ns | Forward Transconductance - Min | 6.7 S |
Height | 2.39 mm | Length | 6.73 mm |
Product | MOSFETs | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 7 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 39 ns | Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
Width | 6.22 mm |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
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Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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