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FCD9N60NTM
Power MOSFET, N-Channel, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 9 A, 385 mΩ, DPAK
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FCD9N60NTM
Fiche de données: FCD9N60NTM Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DPAK-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $2,314 | $2,314 |
| 200 | $0,896 | $179,200 |
| 500 | $0,866 | $433,000 |
| 1000 | $0,849 | $849,000 |
En stock: 9 458 PC
FCD9N60NTM Description générale
The SupreMOS® MOSFET is a next generation of high voltage super-junction (SJ) technology employing a deep trench filling process that differentiates it from the conventional SJ MOSFETs. This advanced technology and precise process control provides lowest Rsp on-resistance, superior switching performance and ruggedness. SupreMOS MOSFET is suitable for high frequency switching power converter applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Caractéristiques
- RDS(on) = 330mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 4.5A
- Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 17.8nC )
- Low effective output capacitance ( Typ. Coss.eff = 122pF )
- 100% avalanche tested
- RoHS compliant
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DPAK-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 330 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Qg - Gate Charge | 17.8 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 92.6 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | SupreMOS |
| Series | FCD9N60NTM | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 11.5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5.3 S | Height | 2.39 mm |
| Length | 6.73 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 9.6 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | N-Channel MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 28.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13.2 ns | Width | 6.22 mm |
| Unit Weight | 0.011640 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Emballage
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