Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise!

ON FDMS86182

N-Channel 100 V 78A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: FDMS86182

Fiche de données: FDMS86182 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: PQFN-8

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 3 838 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour FDMS86182 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

FDMS86182 Description générale

This N-Channel MV MOFSET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Caractéristiques

  • Shielded Gate MOSFET Technology
  • Max rDS(on) = 7.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 28 A
  • Max rDS(on) = 19.5 mΩ at VGS = 6 V, ID = 14 A
  • 50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers
  • Lowers Switching Noise/EMI
  • MSL1 Robust Package Design
  • 100% UIL Tested
  • RoHS Compliant

Application

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: ON Semiconductor Product Category: MOSFET
RoHS: Y Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: Power-56-8
Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 78 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 5.9 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 37 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 83 W Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement Packaging: Reel
Series: FDMS86182 Transistor Type: 1 N-Channel
Brand: ON Semiconductor / Fairchild Forward Transconductance - Min: 63 S
Fall Time: 4 ns Product Type: MOSFET
Rise Time: 4 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time: 18 ns
Typical Turn-On Delay Time: 13 ns Unit Weight: 0.002402 oz
Tags FDMS8618, FDMS861, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The FDMS86182 chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-performance applications, particularly in power conversion and motor control systems. It offers low on-resistance, high switching speeds, and high energy efficiency. The chip integrates various protection features and is suitable for a wide range of industrial and automotive environments.
  • Equivalent

    The equivalent products of the FDMS86182 chip are the FDMS86181, FDMS86183, FDMS86184, FDMS86200, FDMS86201, and FDMS86202 chips.
  • Features

    The FDMS86182 is a high-performance power MOSFET with a low on-resistance. It features a fast switching capability, low gate charge, and excellent thermal properties.
  • Pinout

    The FDMS86182 is a 6-pin power MOSFET with a single function.
  • Manufacturer

    FDMS86182 is manufactured by Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that specializes in the design, development, and manufacturing of various semiconductor products. They provide solutions for a range of industries, including automotive, communication, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    The FDMS86182 is a power MOSFET designed for various applications, including server and telecom power supplies, DC-DC converters, motor control, and industrial applications requiring high power efficiency and reliability.
  • Package

    The FDMS86182 chip comes in a 5x6 mm Power56 package with an integrated circuit form.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire FDMS86182 PDF Télécharger

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • NTJD4105CT1G

    NTJD4105CT1G

    ON

    English expressions

  • MJF18008G

    MJF18008G

    Onsemi

    8A 450V 45W NPN Bipolar Transistors

  • MJE5731AG

    MJE5731AG

    Onsemi

    The MJE5731AG is a PNP transistor suitable for gen...

  • MJE350G

    MJE350G

    Onsemi

    This transistor has a power dissipation of 20000mW...

  • NSS1C200LT1G

    NSS1C200LT1G

    Onsemi

    SOT-23 Packaged PNP Bipolar Junction Transistor (B...

  • MJW21195G

    MJW21195G

    ON

    BJT PNP 250V 16A 200W TO-247 Tube