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ON FDS6612A
N-Channel 30 V 8.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: FDS6612A
Fiche de données: FDS6612A Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOIC-8
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2188 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDS6612A Description générale
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Caractéristiques
- 8.4 A, 30 V
- RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FDS6612A | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Package Description | SOP-8 | Manufacturer Package Code | 751EB |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time | 4 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | onsemi | Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| Application | SWITCHING | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Element Material | SILICON | feature-category | Power MOSFET |
| feature-material | feature-process-technology | TMOS | |
| feature-configuration | Single Quad Drain Triple Source | feature-channel-mode | Enhancement |
| feature-channel-type | N | feature-number-of-elements-per-chip | 1 |
| feature-maximum-drain-source-voltage-v | 30 | feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 |
| feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | feature-maximum-continuous-drain-current-a | 8.4 | |
| feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 22@10V | feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 5.4@5V |
| feature-typical-gate-charge-10v-nc | feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 560@15V | |
| feature-typical-output-capacitance-pf | feature-maximum-power-dissipation-mw | 2500 | |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 8 | feature-supplier-package | SOIC |
| feature-standard-package-name1 | SO | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | No |
| feature-svhc-exceeds-threshold | No |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDS6612A chip is a power MOSFET transistor designed for low voltage applications. It has a low on-resistance and is capable of handling high currents. The chip can be used in various electronic devices where efficient power switching is required, such as power management circuits, motor control, and battery protection circuits.
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Equivalent
There are no direct equivalent products to the FDS6612A chip. However, some possible alternatives that offer similar functionality include the IRLML2402, IRLML6401, and IRLML6402 chips. It is recommended to consult the datasheets of these chips to determine if they meet the specific requirements of your application. -
Features
The FDS6612A is a small signal N-channel MOSFET transistor. It has a low on-resistance of 2.6 ohms and a maximum drain current of 3.7A. The device is designed for applications where low voltage, high speed, and low power dissipation are important factors. -
Pinout
The FDS6612A is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with a pin count of 8. The pins serve the following functions: pin 1 is the drain of MOSFET 1, pin 2 is the gate of MOSFET 1, pin 3 is the source of MOSFET 1, pin 4 is the gate of MOSFET 2, pin 5 is the drain of MOSFET 2, pin 6 is the source of MOSFET 2, pin 7 is connected internally, and pin 8 is the exposed thermal pad. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDS6612A is Fairchild Semiconductor. It is an American company that specializes in the design, development, and production of a wide range of semiconductor devices. -
Application Field
The FDS6612A is a power MOSFET transistor designed for use in low voltage applications such as battery chargers, power management circuits, and DC-DC converters. Its low on-resistance and high-speed switching capabilities make it suitable for various applications where efficient power handling is required. -
Package
The FDS6612A chip has a small outline package (SOP) type, with a form of surface mount equipment (SMT). It has a size of 8 pins.
Fiche de données PDF
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