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ON FCH104N60F
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Marques: ON
Pièce Fabricant #: FCH104N60F
Fiche de données: FCH104N60F Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247
Statut RoHS:
État des stocks: 126 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $5,610 | $5,610 |
| 10 | $4,923 | $49,230 |
| 30 | $4,514 | $135,420 |
| 100 | $4,102 | $410,200 |
| 500 | $3,442 | $1721,000 |
| 1000 | $3,357 | $3357,000 |
En stock: 126 PC
FCH104N60F Description générale
Elevate your high voltage power applications with the SuperFET II MOSFET, model FCH104N60F. This innovative SJ MOSFET features charge balance technology for unparalleled performance, offering low on-resistance and reduced gate charge for minimal conduction loss and superior switching capabilities. With enhanced dv/dt rate and higher avalanche energy, the SuperFET II MOSFET is the perfect choice for switching power applications like PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power, and industrial power. Plus, the FRFET MOSFET variant enhances system reliability with optimized body diode reverse recovery performance. Choose the SuperFET II MOSFET for efficient, reliable power solutions
Caractéristiques
- RDS(on) = 104 mΩ (Max)
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 107 nC)
- Low Effective Output Capacitance
- 100% AvalancheTested
- RoHS Compliant
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | Id - Continuous Drain Current | 37 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 104 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V | Qg - Gate Charge | 139 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 357 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | SuperFET II FRFET | Series | FCH104N60F |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 20 ns | Forward Transconductance - Min | 47 S |
| Height | 20.82 mm | Length | 15.87 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 58 ns |
| Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 206 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 78 ns | Width | 4.82 mm |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FCH104N60F chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high voltage applications. It features a low on-resistance, allowing for efficient power handling. The chip is suitable for use in various electronic devices, such as power supplies, inverters, and motor control circuits, providing reliable and efficient power switching capabilities.
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Equivalent
The equivalent products of the FCH104N60F chip are the STW104N60F7, IRF1405, and IXTN104N60F7 chips. -
Features
The FCH104N60F is a power MOSFET semiconductor device that offers a low on-resistance and high switching efficiency. It operates at a voltage of 600V and can handle continuous currents up to 110A. The device is designed for use in various power switching applications, such as motor control, inverters, and switched mode power supplies. -
Pinout
The FCH104N60F is a power MOSFET with a TO-247 package. It has three pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the switching of the MOSFET, the drain pin connects to the load, and the source pin acts as a common reference point for the gate and drain. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the FCH104N60F. It is a German semiconductor manufacturing company that specializes in the production of power semiconductors and system solutions for advanced technologies, including automotive, industrial, and digital security applications. -
Application Field
The FCH104N60F is a power MOSFET transistor that is commonly used in high-frequency switching applications such as power supplies, inverters, motor drives, and lighting systems. Its low on-resistance and fast switching capability make it suitable for high-efficiency power conversion designs. -
Package
The package type of the FCH104N60F chip is TO-247, which is a large and robust package commonly used for high-power devices. The form of the chip is a discrete power transistor. The size of the FCH104N60F chip is approximately 15.5mm x 21.5mm x 5.86mm.
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