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$5000ON FDS4935BZ
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Marques: ON
Pièce Fabricant #: FDS4935BZ
Fiche de données: FDS4935BZ Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOP8
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Statut RoHS:
État des stocks: 6 536 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FDS4935BZ Description générale
Revolutionize your power supply designs with the FDS4935BZ. This innovative P-Channel MOSFET is tailor-made to enhance the efficiency of DC/DC converters and battery chargers, offering faster switching and lower gate charge than competing MOSFETs. With its superior performance characteristics, the FDS4935BZ ensures safe and easy driving, even at high frequencies, while significantly improving overall efficiency in power supply applications. Upgrade to the FDS4935BZ and experience the difference in performance and reliability in your designs
Caractéristiques
- Real-time video processing
- High-definition image quality
- Advanced noise reduction algorithm
Application
- Perfect for everyday use.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 18 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 29 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDS4935BZ | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Fall Time | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min | 22 S | Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 13 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 P-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 68 ns | Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Width | 3.9 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDS4935BZ chip is a MOSFET transistor designed for use in switching applications. It has a low on-resistance and can handle high currents, making it suitable for various power management circuits. The chip can be used in scenarios such as battery charging, motor control, and LED lighting. Overall, the FDS4935BZ chip offers a compact and efficient solution for switching applications that require high performance and reliability.
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Features
The FDS4935BZ is a dual N-channel MOSFET transistor with a low on-resistance and a high drain current. It has a gate threshold voltage of 2.5V to 4V, a drain-source voltage of 30V, and a continuous drain current of 13A. The package type is D-PAK, making it suitable for various electronic applications. -
Pinout
The FDS4935BZ is a 30V dual N-channel power MOSFET. It has a 6-pin configuration with two N-channel MOSFETs in a single package. The pins include Gate 1, Source 1, Drain 1, Gate 2, Source 2, and Drain 2. It is commonly used for power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDS4935BZ is Fairchild Semiconductor Corporation. It is an American company that specializes in the design, development, and production of power management and analog & mixed-signal integrated circuits. -
Application Field
The FDS4935BZ is a small signal MOSFET that can be used in a wide range of applications, including power management, voltage regulation, motor control, and switch mode power supplies. It can also be used in audio amplifiers, LED drivers, and battery charging circuits. -
Package
The FDS4935BZ chip is in a package type called SOP-8, which stands for Small Outline Package with 8 pins. The form of the chip is surface mount. The size of the chip is approximately 5.3mm x 6.2mm x 1.75mm.
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