Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000
FDS6670AS
N-Channel 30 V 13.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FDS6670AS
Fiche de données: FDS6670AS Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOIC-8
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,524 | $0,524 |
| 10 | $0,437 | $4,370 |
| 30 | $0,393 | $11,790 |
| 100 | $0,350 | $35,000 |
| 500 | $0,297 | $148,500 |
| 1000 | $0,283 | $283,000 |
En stock: 9 458 PC
FDS6670AS Description générale
For designers seeking to improve the efficiency and performance of their synchronous DC:DC power supplies, the FDS6670AS is a game-changing component. With the ability to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode, this MOSFET offers superior power conversion efficiency, thanks to its low RDS(ON) and gate charge. The incorporation of an integrated Schottky diode utilizing ON Semiconductor's advanced SyncFET technology takes functionality to the next level, making the FDS6670AS a standout choice for power supply applications
Caractéristiques
- Superior reliability and performance
- Fully integrated with advanced features
- Exceptional noise immunity guaranteed
- Rapid switching and high efficiency ensured
- Advanced logic and robust architecture
- Uncompromised quality for demanding apps
Application
- Essential for your work
- Versatile and reliable
- Meets various requirements
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 13.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | PowerTrench SyncFET | Series: | FDS6670AS |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 18 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 66 S | Height: | 1.75 mm |
| Length: | 4.9 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 5 ns | Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | FET | Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns | Width: | 3.9 mm |
| Part # Aliases: | FDS6670AS_NL |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The FDS6670AS is a power MOSFET chip designed for low voltage applications. It features a low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for use in power management circuits. With a compact size and high efficiency, this chip is commonly used in electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops.
-
Equivalent
The equivalent products of FDS6670AS chip are IRF7855PBF, IRF6894MTRPBF, AUIRFR4105ZTRPBF, and SiHG401. These are also power MOSFET N-Channel transistors with similar specifications and functionality. -
Features
- P-channel power MOSFET with a low on-resistance - Input capacitance of 3800pF - Drain-source voltage of -30V - High-speed switching performance - Suitable for high-frequency applications - Low gate charge for efficient operation -
Pinout
The FDS6670AS is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with a pin count of 8. Pin functions are as follows: pin 1 (GATE1), pin 2 (DRAIN1), pin 3 (SOURCE1), pin 4 (GND), pin 5 (GATE2), pin 6 (DRAIN2), pin 7 (SOURCE2), and pin 8 (VCC). -
Manufacturer
FDS6670AS is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is an American semiconductor manufacturing company. It produces a wide range of semiconductor products for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. Fairchild Semiconductor is known for its high-quality and reliable semiconductor components used in electronic devices. -
Application Field
The FDS6670AS is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, voltage regulators, and power switches. It is also suitable for use in motor control, lighting control, and audio amplifiers. Additionally, this MOSFET can be found in various high-power industrial and automotive applications due to its high current and voltage capability. -
Package
The FDS6670AS chip is a surface mount package type with a dual N-channel 30V 11.6A MOSFET. It comes in a D-Pak (TO-252) form and measures 8.67mm x 6.50mm x 4.20mm in size.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
