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FGA25N120ANTDTU
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FGA25N120ANTDTU
Fiche de données: FGA25N120ANTDTU Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-3P-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,460 | $1,460 |
| 10 | $1,244 | $12,440 |
| 30 | $1,126 | $33,780 |
| 90 | $0,991 | $89,190 |
| 510 | $0,933 | $475,830 |
| 1200 | $0,905 | $1086,000 |
En stock: 9 458 PC
FGA25N120ANTDTU Description générale
Experience the power of the FGA25N120ANTDTU, a state-of-the-art 1200V NPT IGBT designed to deliver unrivaled performance in a multitude of applications. Thanks to ON Semiconductor's proprietary trench design and advanced NPT technology, this device excels in conduction and switching tasks, while also offering high avalanche ruggedness and easy parallel operation. Whether you are working on induction heating projects or developing cutting-edge microwave ovens, this IGBT is sure to exceed your expectations with its exceptional capabilities
Caractéristiques
- Ultra-low noise: NF, typ = 0.5 dB@ f=500MHz
- High current handling: IOUT, max = 20A and TC = 25°C
- Excellent aging performance
Application
- Outdoor Gear
- Adventure Equipment
- Travel Essentials
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-3P-3 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.65 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A | Pd - Power Dissipation: | 312 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | FGA25N120ANTD | Packaging: | Tube |
| Brand: | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current: | 25 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 50 A | Gate-Emitter Leakage Current: | +/- 250 nA |
| Height: | 18.9 mm | Length: | 15.8 mm |
| Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 450 |
| Subcategory: | IGBTs | Width: | 5 mm |
| Part # Aliases: | FGA25N120ANTDTU_NL |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FGA25N120ANTDTU is a power MOSFET chip used in electronic devices and applications that require high voltage and current handling capabilities. It has a voltage rating of 1200V and a current rating of 25A, making it suitable for power conversion and control systems. The chip's advanced technology and design ensure efficient performance and reliability in demanding applications.
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Equivalent
The equivalent products of FGA25N120ANTDTU chip are FGH25N120ANTDTU, FGA25N120FTDTU, FGA25N120ANTDTU-F082 and FGL25N120ANTDTU. -
Features
The FGA25N120ANTDTU is a fast-switching IGBT module. It has a low conduction and switching losses, resulting in high efficiency. It has a low on-state voltage, high input impedance, and is suitable for high frequency switching applications. The module also has short-circuit ruggedness and is designed for high power output. -
Pinout
The FGA25N120ANTDTU is a 1200V IGBT module with a 25A current rating. It features a 4-pin configuration, with Pin 1 as the emitter, Pin 2 as the collector, Pin 3 as the gate, and Pin 4 as the collector-emitter sustaining voltage. -
Manufacturer
The manufacturer of the FGA25N120ANTDTU is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a company that designs and manufactures power semiconductors and integrated circuits for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The FGA25N120ANTDTU is a high power IGBT module suitable for various applications in the field of power electronics. It can be used in industries such as motor control, renewable energy systems, uninterruptible power supplies (UPS), welding machines, and induction heating equipment. -
Package
The FGA25N120ANTDTU chip has a package type of TO-3P, a form of Non-isolated, and a size of 3.08mm x 15.77mm x 21.08mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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