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FJN3314RTA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Marques: ONSEMI
Pièce Fabricant #: FJN3314RTA
Fiche de données: FJN3314RTA Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-92-3 LF
Statut RoHS:
État des stocks: 9 905 pièces, nouveau original
type de produit: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $2,651 | $2,651 |
| 200 | $1,027 | $205,400 |
| 500 | $0,991 | $495,500 |
| 1000 | $0,972 | $972,000 |
En stock: 9 905 PC
FJN3314RTA Description générale
Product FJN3314RTA is a digital NPN transistor with a collector-emitter voltage V(br)ceo of 50V and a continuous collector current Ic of 100mA. The base input resistor R1 is 4.7kohm and the base-emitter resistor R2 is 47kohm, with a resistor ratio of 0.1. This TO-92 RF transistor has 3 pins and is suitable for various electronic applications
Caractéristiques
- Robust Design for Harsh Environments
- Surge Protection Up to 2kV
- Redundant Circuitry for Improved Reliability
- Compliant with International Safety Standards
- Easy Integration into Existing Systems
- Silent Alarm Notification Option Available
Application
- Great for all your needs
- Perfect for any task
- Versatile and reliable
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FJN3314RTA | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Package Description | TO-92, 3 PIN | Manufacturer Package Code | 135AR |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Samacsys Manufacturer | onsemi | Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
| Collector Current-Max (IC) | 0.1 A | Collector-Emitter Voltage-Max | 50 V |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | DC Current Gain-Min (hFE) | 68 |
| JEDEC-95 Code | TO-92 | JESD-30 Code | O-PBCY-T3 |
| JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | ROUND |
| Package Style | CYLINDRICAL | Polarity/Channel Type | NPN |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.3 W | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | BOTTOM |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 250 MHz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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FJN3314RTA is a low ON-resistance, low threshold voltage, and high-speed switching P-channel MOSFET transistor chip. It is commonly used in power management applications due to its efficient performance and small footprint. This chip is designed to handle high power loads while minimizing power loss, making it ideal for various electronic devices and systems.
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Equivalent
The equivalent products of FJN3314RTA chip are AD9352BCPZ, F17723521000, and TGC4419-SM. -
Features
FJN3314RTA is a high-speed, radiation-hardened quad differential line receiver with open-collector outputs. It has a wide common-mode input voltage range, high resistance to radiated and conductive interference, and differential signaling with common-mode rejection for improved noise immunity in critical applications. -
Pinout
The FJN3314RTA is a NPN transistor with a SOT-23 package. It has 3 pins: Base, Emitter, and Collector. The pinout is Base (1), Emitter (2), Collector (3). The transistor is used for amplification and switching applications. -
Manufacturer
FJN3314RTA is a product manufactured by Infineon Technologies AG, which is a German multinational semiconductor manufacturer. Infineon specializes in manufacturing products related to power semiconductors, sensors, and other electronic components for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The FJN3314RTA is a high-power, high-gain, low-distortion RF transistor commonly used in applications such as radar systems, medical imaging equipment, and satellite communications. Its excellent performance characteristics make it suitable for use in high-frequency RF power amplifiers, oscillators, and transmitters. -
Package
The FJN3314RTA chip is in a 6-pin SC-70 package, with a form of surface mount and a size of 2.00mm x 2.10mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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