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$5000
FQA11N90
High-Power N-Channel MOSFET Transistor
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FQA11N90
Fiche de données: FQA11N90 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO3P-3
Statut RoHS:
État des stocks: 5 577 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $5,323 | $5,323 |
200 | $2,059 | $411,800 |
500 | $1,988 | $994,000 |
1000 | $1,953 | $1953,000 |
En stock: 5 577 PC
FQA11N90 Description générale
Introducing the FQA11N90: a powerhouse Power MOSFET equipped with a 900V voltage rating and a continuous drain current of 11A. Boasting a low on-resistance of 0.66 ohms, this transistor is designed for seamless power handling and reduced power losses in high-power applications such as power supplies, motor control, and inverters. Thanks to its advanced technology and robust materials, the FQA11N90 offers exceptional reliability and performance, making it a perfect fit for industrial settings with rigorous demands. Packaged in a TO-3P casing, this MOSFET offers excellent thermal properties and easy heat sink mounting. Additionally, its low gate charge, gate threshold voltage, and fast switching speed contribute to simplified driving and control, while enhancing efficiency and performance in high-frequency applications
Caractéristiques
- High power handling
- Fast switching performance
- Low input capacitance
Application
- Powering devices
- Inverter systems
- Energy solutions
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-3PN-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
Id - Continuous Drain Current | 11.4 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 960 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 300 W |
Channel Mode | Enhancement | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 90 ns |
Forward Transconductance - Min | 12 S | Height | 20.1 mm |
Length | 16.2 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 135 ns | Factory Pack Quantity | 450 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 165 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 65 ns | Width | 5 mm |
Part # Aliases | FQA11N90_NL |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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