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$5000
FQAF11N90
Effortless Power Control for High-Voltage Applications
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FQAF11N90
Fiche de données: FQAF11N90 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-3PN-3
Statut RoHS:
État des stocks: 5 029 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $3,394 | $3,394 |
200 | $1,315 | $263,000 |
360 | $1,268 | $456,480 |
1080 | $1,245 | $1344,600 |
En stock: 5 029 PC
FQAF11N90 Description générale
With a voltage rating of 900V and a current rating of 11A, the FQAF11N90 Power MOSFET is engineered to deliver outstanding performance in high voltage applications. Its fast switching speed and low on-resistance are vital for ensuring efficiency and reliability in power management. The MOSFET's low gate charge and low gate threshold voltage make it ideal for high frequency operations, minimizing conduction and switching losses. The TO-220 packaging allows for easy mounting on a heat sink for efficient thermal dissipation, and its high operating temperature range makes it suitable for industrial and automotive applications that demand robust performance
Caractéristiques
- 7.2A, 900V, RDS(on) = 0.96 Ω @ VGS = 10 V
- Low gate charge ( typical 72 nC)
- Low Crss ( typical 30 pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer | onsemi | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-3PN-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V | Id - Continuous Drain Current | 7.2 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 960 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 120 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
Fall Time | 90 ns | Forward Transconductance - Min | 9.5 S |
Height | 20.1 mm | Length | 16.2 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 135 ns |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 165 ns | Typical Turn-On Delay Time | 65 ns |
Width | 5 mm | Part # Aliases | FQAF11N90_NL |
Unit Weight | 0.162260 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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