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$5000FQB1P50
The FQB1P50 is a P-Channel Power MOSFET featuring QFET technology, rated for -500V and -1
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FQB1P50
Fiche de données: FQB1P50 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-263-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 254 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FQB1P50 Description générale
The FQB1P50 MOSFET sets a new standard for power MOSFET technology with its advanced features and unparalleled performance. Engineered using state-of-the-art planar stripe and DMOS technology, this device offers unmatched on-state resistance reduction and exceptional switching capabilities. Its high avalanche energy strength ensures reliability and durability in demanding applications such as switched mode power supplies and electronic lamp ballasts. The FQB1P50 MOSFET is a testament to innovation and quality, delivering superior performance in the most demanding of environments. Whether it's enhancing power factor correction or driving efficient power delivery, this device is a versatile and reliable solution for a wide range of power electronics applications
Caractéristiques
- Advanced thermal protection, up to 150°C
- Compact package, 6-pin SOP
- RoHS compliant for environmental safety
- 100% burn-in tested for reliability
Application
- Rustic
- Dimmable
- Chic
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TO-263-3 |
Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | Id - Continuous Drain Current | 1.5 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 10.5 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 3.13 W | Channel Mode | Enhancement |
Series | QFET | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 30 ns |
Height | 4.83 mm | Length | 10.67 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 25 ns |
Factory Pack Quantity | 800 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 9 ns | Width | 9.65 mm |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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