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$5000
FQD1N60CTM
600V-rated N-MOSFET transistor operating in unipolar mode, capable of conducting currents up to 0
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FQD1N60CTM
Fiche de données: FQD1N60CTM Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DPAK-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $0,494 | $0,494 |
10 | $0,441 | $4,410 |
30 | $0,416 | $12,480 |
100 | $0,390 | $39,000 |
500 | $0,374 | $187,000 |
1000 | $0,366 | $366,000 |
En stock: 9 458 PC
FQD1N60CTM Description générale
The FQD1N60CTM stands out in the world of power MOSFETs for its innovative design and optimized performance. With a focus on enhancing efficiency and reducing power loss, this N-Channel MOSFET is ideal for a wide range of applications including switched mode power supplies, active power factor correction, and electronic lamp ballasts. Thanks to its unique planar stripe and DMOS technology, this device offers superior on-state resistance and exceptional switching capabilities, making it a top choice for engineers and manufacturers alike
![](/files/uploads/product/b/0b607a993686412d965daae5d5118af1.webp)
Caractéristiques
- Long lifespan guaranteed
- Wide operating range
- Low electromagnetic interference
- Suitable for high-vibration applications
- Fully compliant with safety regulations
Application
- Long-lasting
- Weatherproof
- Budget-friendly
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Status | Last Shipments | Compliance | PbAHP |
Package Type | DPAK-3 / TO-252-3 | Case Outline | 369AS |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 2500 |
ON Target | N | Channel Polarity | N-Channel |
Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 600 |
VGS Max (V) | ±30 | VGS(th) Max (V) | 4 |
ID Max (A) | 1 | PD Max (W) | 28 |
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 11500 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 4.8 |
Ciss Typ (pF) | 130 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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FQD1N60CTM is a power MOSFET chip designed for use in electronic circuits. It can handle high currents and voltages and is commonly used in applications like power supplies and motor control. The chip offers low conduction and switching losses, making it efficient and reliable.
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Equivalent
Some equivalent products of the FQD1N60CTM chip include the IRF840TM, IRF740TM, and IRF840. These are all power MOSFETs with similar characteristics and electrical specifications. -
Features
The main features of FQD1N60CTM are: a maximum drain current of 1.3A, a breakdown voltage of 600V, low on-resistance of 3.6Ω, a gate charge of 10nC, a low capacitance of 285pF, and an integrated zener diode for ESD protection. -
Pinout
The FQD1N60CTM is a power MOSFET with a TO-252 (DPAK) package. The pin count is 3, with the following functions: pin 1 is the gate, pin 2 is the source, and pin 3 is the drain. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the FQD1N60CTM. It is a German semiconductor manufacturer and one of the leading companies in the field of power semiconductors. -
Application Field
The FQD1N60CTM can be used in various applications including switch mode power supplies, motor control, lighting control, and high-frequency inverters. -
Package
The FQD1N60CTM chip has a TO-252 (DPAK) package type, a transistor form, and its size is 6.6mm x 6.2mm x 2.3mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits