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FQD4P25TM-WS
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FQD4P25TM-WS
Fiche de données: FQD4P25TM-WS Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DPAK-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,540 | $0,540 |
| 10 | $0,450 | $4,500 |
| 30 | $0,405 | $12,150 |
| 100 | $0,360 | $36,000 |
| 500 | $0,333 | $166,500 |
| 1000 | $0,319 | $319,000 |
En stock: 9 458 PC
FQD4P25TM-WS Description générale
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Caractéristiques
- -3.1A, -250V, RDS(on) = 2.1Ω(Max.) @VGS = -10 V, ID = -1.55A
- Low gate charge ( Typ. 10.3nC)
- Low Crss ( Typ. 10pF)
- 100% avalanche tested
- RoHS Compliant
Application
- Lighting
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | DPAK-3 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V | Id - Continuous Drain Current: | 3.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | QFET | Series: | FQD4P25TM_WS |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 27 ns |
| Height: | 2.39 mm | Length: | 6.73 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 60 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2500 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns | Width: | 6.22 mm |
| Part # Aliases: | FQD4P25TM_WS |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FQD4P25TM-WS is a high-performance and reliable power MOSFET chip used for various applications such as power supplies, motor controls, and automotive systems. With its low on-resistance and fast switching speed, this chip offers efficient power management solutions.
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Equivalent
Equivalent products of FQD4P25TM-WS chip include STP4P06, IRF7328, and BTS441206. These are power MOSFETs with similar specifications and can be used as substitutes for FQD4P25TM-WS in various applications. -
Features
FQD4P25TM-WS is a high-performance, low-power, quad-core microcontroller with integrated floating-point unit. It offers 4 MB flash memory, 256 KB RAM, and advanced security features. It supports multiple communication interfaces and is ideal for industrial, automotive, and consumer applications. -
Pinout
The FQD4P25TM-WS is a 40-pin quad flat package (QFP) device. It is a power MOSFET designed for use in high voltage applications, with a maximum drain-source voltage of 250V and a continuous drain current of 4A. -
Manufacturer
FQD4P25TM-WS is manufactured by Future Electronics, a global distributor of electronic components. The company serves a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics, providing customers with a variety of products and services to meet their unique needs. -
Application Field
FQD4P25TM-WS is commonly used in automotive applications for LED headlight modules, fog lights, and interior lighting. It is also utilized in general lighting, commercial lighting, and architectural lighting applications due to its high brightness, efficiency, and reliability. -
Package
The FQD4P25TM-WS chip is in a Power-4-EPackage (TO-252) with a form of Surface Mount and a size of 6.1mm x 6.1mm x 2.5mm.
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