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$5000FQD7N30TM
MOSFET 300V N-Channel QFET
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FQD7N30TM
Fiche de données: FQD7N30TM Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DPAK-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $0,820 | $0,820 |
200 | $0,318 | $63,600 |
500 | $0,308 | $154,000 |
1000 | $0,301 | $301,000 |
En stock: 9 458 PC
FQD7N30TM Description générale
The FQD7N30TM power MOSFET is a top-of-the-line N-Channel device that boasts cutting-edge technology for optimal performance. Designed with a planar stripe and DMOS technology, this MOSFET is built to deliver maximum power with minimal resistance. Its advanced features make it ideal for a wide range of applications, from switched mode power supplies to electronic lamp ballasts
Caractéristiques
- High voltage rating (Vdd = 100V)
- Low inrush current (Ii = 5mA @ Vcc = 10V)
- High surge withstand capability
- Small size (Pb-free, RoHS compliant)
- Long lifespan (MTTF = 500,000 hours)
Application
- Ideal for
- professional lighting
- solutions
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | DPAK-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V | Id - Continuous Drain Current: | 5.5 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 700 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 17 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 2.5 W | Channel Mode: | Enhancement |
Series: | FQD7N30 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
Fall Time: | 35 ns | Forward Transconductance - Min: | 4 S |
Height: | 2.39 mm | Length: | 6.73 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 75 ns |
Factory Pack Quantity: | 2500 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
Width: | 6.22 mm | Part # Aliases: | FQD7N30TM_NL |
Unit Weight: | 0.011640 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. | |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. | |
Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FQD7N30TM is a power MOSFET chip designed for use in high-power switching applications. It features a low on-resistance and high gate threshold voltage, making it suitable for a wide range of applications requiring high efficiency and control. This chip is commonly used in power supplies, motor control circuits, and LED lighting systems.
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Equivalent
The equivalent products of FQD7N30TM chip are STF7N30, IRF7N30, and NDP7030L. These are power MOSFETs with similar specifications and can be used as substitutes for the FQD7N30TM chip in various electronic applications. -
Features
1. N-channel MOSFET transistor 2. RDS(on) = 1.78 ohm 3. VDSS = 300 V 4. ID = 7 A 5. Low gate charge 6. Fast switching speed 7. High input impedance 8. Suitable for high performance applications 9. TO-252(DPAK) packaging 10. RoHS compliant -
Pinout
The FQD7N30TM is a MOSFET transistor with a TO-252 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and the source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQD7N30TM is Fairchild Semiconductor, a company known for designing and manufacturing power and analog semiconductor technologies. Fairchild Semiconductor focuses on providing innovative solutions for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The FQD7N30TM is mainly used in applications such as switch mode power supplies, motor control, lighting ballasts, and other high power industrial applications. It is ideal for low voltage and high current switching applications that require high efficiency and reliable performance. -
Package
The FQD7N30TM chip is available in a TO-252 package type. It is a N-Channel MOSFET with a surface mount form. The size of the package is 6.5mm x 6.5mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits