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$5000FQD8P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FQD8P10TM
Fiche de données: FQD8P10TM Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-252-3,DPAK(2Leads+Tab),SC-63
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 5 692 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FQD8P10TM Description générale
Featuring a cutting-edge design, the FQD8P10TM P-Channel enhancement mode power MOSFET is the perfect choice for engineers and designers in need of a high-performance semiconductor solution. Its unique combination of advanced MOSFET technology and superior construction makes it a versatile and reliable option for a wide range of power management and control applications. Whether it's for audio amplifiers, motor control, or switched mode power supplies, this MOSFET delivers exceptional performance and efficiency
Caractéristiques
- High-speed switching
- Fast recovery time
- Low leakage current
- High surge capability
- Excellent reliability
- Compact package design
Application
- Blu-ray Player
- Projector
- VR Headset
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Series | QFET® | Product Status | Active |
FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-252AA |
Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
---|---|---|
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. | |
Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FQD8P10TM is a power MOSFET chip designed for high efficiency in switch mode power supplies and power management applications. It features a low on-state resistance and high current capabilities, making it suitable for use in various electronic devices such as consumer electronics, telecommunications, and industrial equipment. The chip is designed to provide reliable and efficient power management solutions for a range of applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the FQD8P10TM chip include the NXP Semiconductors PDT8P10P, Infineon Technologies IPP018N10N5, and ON Semiconductor NTP8P06LG. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. High power handling capability 2. Compact design 3. Low thermal resistance 4. High frequency operation 5. Low output capacitance 6. High speed switching capabilities 7. RoHS compliant 8. Low gate charge 9. Enhanced switching performance 10. Improved ruggedness and reliability -
Pinout
The FQD8P10TM has a pin count of 8 pins and is a P-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power management circuits, battery charging systems, and motor drives. The device can handle a maximum drain current of 8A. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQD8P10TM is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a semiconductor manufacturing company that designs and produces a wide range of integrated circuits for various applications including power management, automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their high-quality components and innovative technologies in the semiconductor industry. -
Application Field
The FQD8P10TM is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and automotive systems. It is designed for use in high current, high voltage, and high-speed switching applications where low conduction and switching losses are critical. It is also commonly employed in electronic devices and appliances. -
Package
The FQD8P10TM chip comes in a TO-252 package type, with a surface mount form, and measures approximately 6.6mm x 6.2mm x 2.1mm in size.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits