Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

HUF75545S3ST

N-Channel 80 V 75A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: onsemi

Pièce Fabricant #: HUF75545S3ST

Fiche de données: HUF75545S3ST Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: D2PAK-3

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour HUF75545S3ST ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

HUF75545S3ST Description générale

N-Channel 80 V 75A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Caractéristiques

  • Advanced Power Management
  • High-Speed Switching
    tON = 50 ns, VGS = 10 V
  • Data Logging and Analysis
  • Real-Time Temperature Monitoring
  • Efficient Cooling System
  • Intelligent Power Control
    ILIM = 5 A, VGS = 15 V

Application

  • Workstation for Designers
  • Mainframe for Enterprises

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: onsemi Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: D2PAK-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 80 V Id - Continuous Drain Current: 75 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 8.2 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 235 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 270 W Channel Mode: Enhancement
Series: HUF75545S3S Packaging: MouseReel
Brand: onsemi / Fairchild Configuration: Single
Fall Time: 90 ns Height: 4.83 mm
Length: 10.67 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 125 ns Factory Pack Quantity: 800
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET Typical Turn-Off Delay Time: 40 ns
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns Width: 9.65 mm
Part # Aliases: HUF75545S3ST_NL

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The HUF75545S3ST is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-power applications. It features a low on-resistance, high current capability, and high-speed switching characteristics. This MOSFET is suitable for a wide range of applications, including power supplies, motor control, and automotive systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of HUF75545S3ST chip are Infineon IPP076N10N5AKSA1, STMicroelectronics STF9N95K5, and Fairchild FDP7030L.
  • Features

    HUF75545S3ST is a N-channel ultrafast switching MOSFET with a low on-state resistance and high reverse energy capability. It features a 75A continuous drain current, 55V drain-source voltage, and a surface mount DPAK package. Ideal for high power switching applications in a compact package.
  • Pinout

    The HUF75545S3ST is a 8-pin N-channel power MOSFET with a standard TO-263 package. It is used for high-speed switching applications with a drain voltage of 75V and drain current of 26A. The pin functions are gate, drain, and source.
  • Manufacturer

    HUF75545S3ST is manufactured by Infineon Technologies. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, automotive semiconductors, and security products. The company provides innovative solutions for a wide range of applications in automotive, industrial, and consumer electronics markets.
  • Application Field

    The HUF75545S3ST is commonly used in applications requiring a high voltage power MOSFET, such as in power supplies, motor control, automotive applications, and lighting. Its high voltage and high current capabilities make it suitable for applications where higher power levels are required.
  • Package

    The HUF75545S3ST chip is a TO-263 package type, with a surface mount form, and a size of 6.6mm x 9.6mm x 3.45mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...