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IRF1407PBF
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Marques: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Pièce Fabricant #: IRF1407PBF
Fiche de données: IRF1407PBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220-3
Statut RoHS:
État des stocks: 7 252 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,344 | $1,344 |
| 10 | $1,154 | $11,540 |
| 50 | $1,051 | $52,550 |
| 100 | $0,934 | $93,400 |
| 500 | $0,882 | $441,000 |
| 1000 | $0,858 | $858,000 |
En stock: 7 252 PC
IRF1407PBF Description générale
The IRF1407PBF is a powerful 130A I(D) Power Field-Effect Transistor designed for high-performance applications. With a low on-resistance of 0.0078ohm, this N-Channel Silicon MOSFET is capable of efficiently handling high currents while minimizing power loss
Caractéristiques
AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCEApplication
SWITCHINGCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | IRF1407PBF | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Not Recommended | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 17 Weeks, 3 Days | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Additional Feature | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 390 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 75 V | Drain Current-Max (ID) | 130 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0078 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-220AB | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 330 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 520 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IRF1407PBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for high-performance applications. It features low on-state resistance and high switching speed, making it ideal for use in power electronics and motor control systems. This chip is commonly utilized in applications requiring efficient power management and high reliability.
-
Equivalent
The IRF1407PBF chip is equivalent to the IRF1407, IRF1407S, and IRF1407LPBF MOSFET transistors. These are all power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
Features of IRF1407PBF include a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 75V, continuous drain current of 130A, low on-resistance of 0.004 ohms, and fast switching speeds. It is designed for high power applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
The pin count of IRF1407PBF is 3 pins. It is a power MOSFET transistor with a function as a high performance N-channel power MOSFET for high power applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies. -
Manufacturer
The manufacturer of IRF1407PBF is Infineon Technologies. It is a multinational semiconductor manufacturer headquartered in Germany. Infineon Technologies specializes in the production of a wide range of semiconductor products such as power semiconductors, sensors, microcontrollers, and automotive electronics. -
Application Field
IRF1407PBF is a power MOSFET commonly used in power supply, motor control, and lighting applications due to its low on-resistance and high current-handling capabilities. It is also suitable for use in automotive and industrial applications where high power requirements are needed. -
Package
The IRF1407PBF is a MOSFET power transistor in a TO-220AB package. It has a P-channel type with a VDS voltage rating of 75V, a continuous drain current of 71A, and a RDS(on) of 0.0045 ohm. The package size is 10.4mm x 4.6mm x 9.6mm.
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