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$5000IRF9953PBF
The IRF9953PBF is a Power Field-Effect Transistor (FET) engineered to handle currents up to 2
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IRF9953PBF
Fiche de données: IRF9953PBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: 8-SOIC
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Statut RoHS:
État des stocks: 6 876 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRF9953PBF Description générale
The IRF9953PBF is a high-performance Power Field-Effect Transistor designed for various electronic applications. With a maximum drain current of 2.3A and a voltage rating of 30V, this P-Channel FET offers reliable performance in a compact SO-8 package
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Series | HEXFET® | Package | Tube |
Product Status | Discontinued at Digi-Key | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Configuration | 2 P-Channel (Dual) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V | Power - Max | 2W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Supplier Device Package | 8-SO |
Base Product Number | IRF995 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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