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IRFR120PBF
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK
Marques: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Pièce Fabricant #: IRFR120PBF
Fiche de données: IRFR120PBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: D-PAK
Statut RoHS:
État des stocks: 9 285 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,649 | $0,649 |
| 10 | $0,538 | $5,380 |
| 30 | $0,481 | $14,430 |
| 75 | $0,407 | $30,525 |
| 525 | $0,374 | $196,350 |
| 975 | $0,357 | $348,075 |
En stock: 9 285 PC
IRFR120PBF Description générale
The IRFR120PBF is a powerful N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (FET) with a maximum I(D) of 7.7A and a voltage rating of 100V. This TO-252AA packaged device features a low on-resistance of 0.27ohm, making it suitable for a wide range of applications that require efficient power delivery. The transistor is designed with a single element and is compliant with the Restriction of Hazardous Substances (ROHS) directive, ensuring its environmental friendliness. The DPAK-3 pin configuration provides easy and secure mounting to a printed circuit board (PCB) or heatsink, making installation hassle-free. Whether used in consumer electronics, industrial machinery, or automotive systems, the IRFR120PBF offers reliable performance and consistent operation
Caractéristiques
- Fast turn-off capabilities
- Low voltage drop
- Robust electrical performance
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| Part Package Code | TO-252AA | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 63 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | Vishay | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 210 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8.4 A | Drain Current-Max (ID) | 7.7 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.27 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Feedback Cap-Max (Crss) | 34 pF | JEDEC-95 Code | TO-252AA |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 42 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 31 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IRFR120PBF is a power MOSFET transistor designed for use in various electronic applications. It has a low on-resistance, high switching speed, and can handle high currents and voltages. This chip is commonly used in power supply systems, motor control, and amplifiers.
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Equivalent
The equivalent products of IRFR120PBF chip are IRFR120N, IRFR120A, and IRFR120B. These are all N-channel Power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics to the IRFR120PBF. -
Features
Some features of IRFR120PBF include a low on-state resistance, high current handling capability, low gate charge, and fast switching speeds. It is suitable for use in a variety of applications, such as power supplies, motor control, and automotive systems. -
Pinout
The IRFR120PBF is a power MOSFET with 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of electrical current between the drain and source pins. This MOSFET has a TO-252 package with a standard pinout configuration. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRFR120PBF is International Rectifier, LLC. They are a semiconductor company specializing in power management technology for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. International Rectifier is a global leader in designing and manufacturing power MOSFETs, IGBTs, and other power semiconductor devices. -
Application Field
The IRFR120PBF is commonly used in applications such as power supplies, motor control, lighting, and audio amplifiers due to its high current capacity and low on-resistance. It is ideal for high-speed switching applications where efficient power handling is required. -
Package
The IRFR120PBF chip comes in a TO-252 package type, with a form of surface mount and a size of 6.5mm x 9.7mm x 4mm.
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