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IRFR4510TRPBF 48HRS

N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Pièce Fabricant #: IRFR4510TRPBF

Fiche de données: IRFR4510TRPBF Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-252-3

Statut RoHS:

État des stocks: 7 759 pièces, nouveau original

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $1,181 $1,181
10 $1,020 $10,200
30 $0,931 $27,930
100 $0,831 $83,100
500 $0,655 $327,500
1000 $0,635 $635,000

En stock: 7 759 PC

- +

Citation courte

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IRFR4510TRPBF Description générale

The IRFR4510TRPBF is a high-performing Power Field-Effect Transistor with a current rating of 56A and a voltage rating of 100V. Its low on-resistance of 0.0139ohm makes it suitable for high-power applications where efficiency is key. This N-Channel transistor is built with Silicon Metal-Oxide Semiconductor FET technology, ensuring reliable performance

Caractéristiques

  • 1.5A, 500V
  • rDS(ON) = 7.000Ω
  • Single Pulse Avalanche Energy Rated
  • SOA is Power Dissipation Limited
  • Nanosecond Switching Speeds
  • High Input Impedance
  • 150oC Operating Temperature
  • Related Literature
  • - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Application

SWITCHING

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Source Content uid IRFR4510TRPBF Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Samacsys Manufacturer Infineon
Avalanche Energy Rating (Eas) 127 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (ID) 56 A Drain-source On Resistance-Max 0.0139 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-252AA
JESD-30 Code R-PSSO-G2 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 143 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 252 A
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IRFR4510TRPBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-performance applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in various electronic devices like motor controls, DC-DC converters, and voltage regulators. With its compact size and efficient design, it contributes to improved performance and energy efficiency in electronic circuits.
  • Equivalent

    Equivalent products to the IRFR4510TRPBF chip include the IRF4905PBF, IRF3205PBF, and IRF2807PBF. These MOSFETs have similar specifications and can be suitable replacements depending on the specific application requirements.
  • Features

    The IRFR4510TRPBF is a power MOSFET transistor. Its features include a drain-source voltage (VDS) of 100V, continuous drain current (ID) of 26A, low on-resistance (RDS(on)), and a TO-252 package. It's commonly used in power management applications like voltage regulators and motor control circuits.
  • Pinout

    The IRFR4510TRPBF is a MOSFET transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. It's typically used in power management applications due to its high current handling capabilities and low on-state resistance.
  • Manufacturer

    The IRFR4510TRPBF is manufactured by International Rectifier, which is an American semiconductor company specializing in power management technology. It develops and manufactures power semiconductor devices, including MOSFETs, IGBTs, and other power ICs.
  • Application Field

    The IRFR4510TRPBF is typically used in power management applications, such as motor control, DC-DC converters, and high-frequency circuits. It's particularly suited for applications requiring high-speed switching and low on-resistance.
  • Package

    The IRFR4510TRPBF is a surface mount, MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) chip. It comes in a TO-252AA package, also known as DPAK (Plastic-Encapsulated Device Package). The dimensions typically measure approximately 6.6mm x 6.1mm x 2.3mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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