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$5000IRFR7440PBF
High-performance D-Pak MOSFET with 40V, 90A, 2.5 mOhm, and 89 nC Qg
Marques: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Pièce Fabricant #: IRFR7440PBF
Fiche de données: IRFR7440PBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: D-PAK
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 274 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRFR7440PBF Description générale
The IRFR7440PBF N-channel MOSFET is a game-changer in high power applications, thanks to its impressive characteristics. It boasts a 40V drain-source voltage (Vds) and a continuous drain current (Id) of 120A, coupled with a remarkably low on-resistance of 2.1 mΩ, allowing for efficient power conduction and minimal power loss. Housed in a TO-252 (DPAK) package, it provides thermal stability and easy installation on circuit boards, while its maximum junction temperature of 175°C ensures reliable performance in high-temperature environments. From power supplies to motor control and power management systems, this MOSFET is primed for high-power switching applications due to its high current capability and low on-resistance. Additionally, it is RoHS compliant, making it environmentally friendly and free of hazardous substances
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Source Content uid | IRFR7440PBF | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 376 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 40 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 180 A | Drain Current-Max (ID) | 90 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0024 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-252AA | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 140 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 760 A |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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