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IRLD024PBF

MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Vishay Siliconix

Pièce Fabricant #: IRLD024PBF

Fiche de données: IRLD024PBF Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: 4-DIP

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 386 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IRLD024PBF ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IRLD024PBF Description générale

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4

Caractéristiques

  • Precise Current Control
  • Smart Power Management
  • Fast Fault Response
  • High Reliability

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Package Tube Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Supplier Device Package 4-HVMDIP
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

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1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IRLD024PBF is a high-power N-Channel MOSFET transistor chip designed for use in a variety of applications requiring high efficiency and reliability. With a low on-resistance and high current capability, this chip is commonly used in power management circuits, motor control systems, and other high-power electronics.

  • Equivalent

    Equivalent products of the IRLD024PBF chip include the IRLD024N, IRLD024NPBF, and IRLD024A. These are all 55V low side MOSFETs designed for switching applications in automotive systems, power management, and motor control. They have similar performance characteristics and can be substituted for one another in most applications.

  • Features

    - IRLD024PBF is a low on-resistance power MOSFET - It has a drain-source voltage rating of 60V - Suitable for high power applications - Offers high efficiency and fast switching characteristics - Features a TO-252 package for easy mounting and heat dissipation

  • Pinout

    The IRLD024PBF is a dual N-channel MOSFET transistor with a TO-252 package. It has a total of 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The primary function of this MOSFET is to switch and amplify electronic signals in various electronic devices and circuits.

  • Manufacturer

    The manufacturer of the IRLD024PBF is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturing company that offers a wide range of products for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. Infineon is known for its high-quality semiconductor solutions and innovation in technology.

  • Application Field

    The IRLD024PBF is commonly used in applications requiring medium power MOSFETs, such as power management, motor control, and DC-DC converters. It can also be used in automotive applications, consumer electronics, and industrial automation. Its low on-state resistance and fast switching speed make it suitable for various power switching and amplification tasks.

  • Package

    The IRLD024PBF chip comes in a TO-252 package, also known as a DPAK. It has a through-hole mounting form with three leads and measures 10.29mm x 6.6mm x 4.5mm in size.
IRF5852TRPBF

IRF5852TRPBF

IR

IRF7306PBF

IRF7306PBF

Infineon Technologies

IRF8313PBF

IRF8313PBF

IR

IRF7604

IRF7604

Infineon Technologies

IRLL2705PBF

IRLL2705PBF

Infineon

IRG4BC30KDPBF

IRG4BC30KDPBF

Infineon

IRCZ44

IRCZ44

Vishay

IRFP460APBF

IRFP460APBF

Vishay Siliconix

NTMD4840NR2G

NTMFS4935NT1G

MRF8P9300HSR6

FDW2511NZ

BLF861A

2N3955

2N3866A

BLF878

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