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IRLL014NTRPBF
2A SOT-223 IRLL014NTRPBF MOSFET, N-channel, 55V
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IRLL014NTRPBF
Fiche de données: IRLL014NTRPBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-261-4,TO-261AA
Statut RoHS:
État des stocks: 8 946 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $0,407 | $0,407 |
10 | $0,334 | $3,340 |
30 | $0,301 | $9,030 |
100 | $0,263 | $26,300 |
500 | $0,215 | $107,500 |
1000 | $0,204 | $204,000 |
En stock: 8 946 PC
IRLL014NTRPBF Description générale
The Infineon IRLL014NTRPBF is a high-performance N Channel MOSFET transistor that offers excellent power management capabilities for a wide range of electronic applications. With a Drain Source Voltage of 55V and a Continuous Drain Current of 2A, this transistor is capable of handling medium to high power loads with ease. Its Surface Mount mounting style allows for easy integration into circuit boards, while the Rds(On) Test Voltage of 10V ensures minimal power loss and improved efficiency. The Gate Source Threshold Voltage Max of 2V provides precise control over the transistor's switching behavior, making it ideal for applications that require accurate power management. With a Power Dissipation rating of 1W and a compact 4-pin configuration, the IRLL014NTRPBF is a reliable and efficient solution for power management needs in various electronic devices. Furthermore, this product is RoHS compliant, ensuring its compliance with international environmental regulations
Caractéristiques
- Rugged Design for Harsh Environments
- Wide Operating Temperature Range
- High Surge Current Capability
- Safe Operating Area Diagram
- Thermal Shutdown Protection
- Low Gate Charge for Reduced Power
- Sensor solutions
- Motor tech
- Solar power
Application
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Series | HEXFET® | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±16V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-223 |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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