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K4B4G1646E-BCK0
Marques: SAMSUNG
Pièce Fabricant #: K4B4G1646E-BCK0
Fiche de données: K4B4G1646E-BCK0 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: BGA96
type de produit: Mémoire
Statut RoHS:
État des stocks: 5732 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureK4B4G1646E-BCK0 Description générale
The 4Gb DDR3 SDRAM B-die is organized as a 32Mbit x 16 I/Os x 8banks, device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) for general applications.Key Features• JEDEC standard 1.5V(1.425V~1.575V)• VDDQ = 1.5V(1.425V~1.575V)• 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin, 933MHz fCK for 1866Mb/sec/pin, 1066 MHz fCK for 2133Mb/sec/pin• 8 Banks• Programmable CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,12,13,14• Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) and 10 (DDR3-2133)• 8-bit pre-fetch• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either On the fly using A12 or MRS]• Bi-directional Differential Data-Strobe• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)• On Die Termination using ODT pin• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
Caractéristiques
Application
Caractéristiques
Paramètre
Valeur
Paramètre
Valeur
Manufacturer
SAMSUNG
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The K4B4G1646E-BCK0 is a DDR4 SDRAM chip commonly used in computer memory modules. It offers a capacity of 4 gigabits and operates at a high speed, making it suitable for various computing tasks. This chip is designed to provide efficient performance and reliability in memory-intensive applications.
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Equivalent
The equivalent products of K4B4G1646E-BCK0 chip are SK Hynix H5ANAG6NCJR-VKG/ VKR, Samsung K4B4G1646E-BCMH, and Micron MT41K512M16HA-125:E. These products have similar specifications in terms of capacity, speed, and type of memory technology used. -
Features
K4B4G1646E-BCK0 is a DRAM module with a capacity of 4GB. It operates at a speed of 1600MHz and has a voltage rating of 1.35V. It uses DDR3 technology and has a 512Mb memory organization. The module is designed for use in desktop computers and laptops. It is manufactured by Samsung. -
Pinout
The K4B4G1646E-BCK0 is a DDR4 SDRAM chip with a 96-ball FBGA package. Its pin count is 96. Functionally, it serves as a memory chip, commonly used in computer systems and other electronic devices for data storage and retrieval. -
Manufacturer
The manufacturer of the K4B4G1646E-BCK0 is Samsung. Samsung is a multinational conglomerate known for electronics, including smartphones, TVs, and semiconductor technology. They're one of the largest technology companies globally, with a significant presence in various sectors such as consumer electronics, semiconductors, and telecommunications. -
Application Field
The K4B4G1646E-BCK0 is a DDR4 SDRAM chip commonly used in computer memory modules. It finds application in various devices such as laptops, desktops, servers, and gaming consoles, enhancing their performance by providing high-speed data access and transfer capabilities. -
Package
The K4B4G1646E-BCK0 chip is a BGA package type with a form factor of 78-ball FBGA and a size of 8 Gb (1 GB).
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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