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$5000K4T51163QJ-BCE6000
Ncnr As Of Oct 2013 Replacement: K4T51163QQ-BCE6000
Marques: SAMSUNG
Pièce Fabricant #: K4T51163QJ-BCE6000
Fiche de données: K4T51163QJ-BCE6000 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: FBGA-84
type de produit: DRAM Chip
Statut RoHS:
État des stocks: 6 554 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ovaga dispose d'un stock important de K4T51163QJ-BCE6000 DRAM Chip depuis SAMSUNG et nous garantissons qu'il s'agit de pièces originales et neuves provenant directement de SAMSUNG Nous pouvons fournir des rapports de tests de qualité pour K4T51163QJ-BCE6000 à votre demande. Pour obtenir un devis, remplissez simplement la quantité requise, le nom du contact et l'adresse e-mail dans le formulaire de devis rapide à droite. Notre représentant commercial vous contactera dans les 12 heures.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| EU RoHS | Yes | RoHS Version | 2011/65/EU, 2015/863 |
| ECCN | EAR99 | Automotive | No |
| Supplier Cage Code | 1542F | HTSUSA | 8542320028 |
| Schedule B | 8542320015 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The K4T51163QJ-BCE6000 is a DDR3 SDRAM chip designed for use in various electronic devices, such as computers and mobile devices. It offers a storage capacity of 4 GB and a clock speed of 1600 MHz, making it suitable for high-performance applications. Additionally, it features low power consumption and reliability, making it an ideal choice for demanding computing tasks.
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Equivalent
The equivalent products of K4T51163QJ-BCE6000 chip are Hynix H5PS5162GFR-S6C, Micron MT47H64M16HR-3, Samsung K4T51083QG and SK Hynix H5TQ4G63AFR chip. -
Features
1. 512Mb DDR2 SDRAM 2. 32Mx16 3. Speed: 600MHz 4. Supply Voltage: 1.8V 5. Organization: 4 Banks 6. CAS Latency: CL=5 7. Interface: 60-Ball FBGA Package 8. Industrial temperature range: -40°C to 85°C 9. RoHS Compliant -
Pinout
The K4T51163QJ-BCE6000 is a 512Mb DDR2 SDRAM memory chip with a 84-ball FBGA package. It has a pin count of 84 pins and functions as a memory storage solution for various electronic devices such as computers, printers, and networking equipment. -
Manufacturer
The manufacturer of the K4T51163QJ-BCE6000 is Samsung. Samsung is a South Korean multinational conglomerate company that specializes in various sectors, including technology, electronics, and telecommunications. It is one of the largest manufacturers of consumer electronics and semiconductors in the world. -
Application Field
The K4T51163QJ-BCE6000 is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, laptops, and digital cameras. It can also be found in gaming consoles, networking equipment, and automotive applications. Its high performance and reliability make it suitable for a wide range of memory storage needs in consumer electronics and industrial applications. -
Package
The K4T51163QJ-BCE6000 chip comes in a 60-ball FBGA package in a 8Gb (1Gx8) form with dimensions of 8.5mm x 11.5mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
