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$5000K4T51163QJ-BCE7
K4T51163QJ-BCE7 SAMSUNG
Marques: SAMSUNG
Pièce Fabricant #: K4T51163QJ-BCE7
Fiche de données: K4T51163QJ-BCE7 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: FBGA
type de produit: Mémoire
Statut RoHS:
État des stocks: 6 554 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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K4T51163QJ-BCE7 Description générale
32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
Caractéristiques
JEDEC standard 1.8V0.1V Power Supply
VDDQ = 1.8V0.1V
200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin
4 Banks
Posted CAS
Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6
Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3, 4 , 5
Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)
Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature)
Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
On Die Termination
Special Function Support
-PASR(Partial Array Self Refresh)
-50ohm ODT
-High Temperature Self-Refresh rate enable
Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85C, 3.9us at 85C < T CASE < 95 C
All of Lead-free products are compliant for RoHS
Application
The chip is designed to comply with the following key DDR2 SDRAM features such as posted CAS with additive latency, write latency = read latency -1, Off-Chip Driver(OCD) impedance adjustment and On Die Termination.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| EU RoHS | Compliant | ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active | HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No | PPAP | No |
| Category | Power MOSFET | Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement | Channel Type | P |
| Number of Elements per Chip | 1 | Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 | Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 | Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 240@10V | Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 17.5@10V|[email protected] |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 17.5 | Typical Gate to Drain Charge (nC) | 3.2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 2.8 | Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 24.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1239@25V | Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 28@25V |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 | Typical Output Capacitance (pF) | 42 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 42000 | Typical Fall Time (ns) | 34.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 14.9 | Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 57.4 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.1 | Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Packaging | Tape and Reel | Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 42 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 15 | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 44 |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.7 | Typical Gate Plateau Voltage (V) | 3.1 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 25.2 | Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 | Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 9 |
| Mounting | Surface Mount | Package Height | 2.29 |
| Package Width | 6.1 | Package Length | 6.58 |
| PCB changed | 2 | Tab | Tab |
| Standard Package Name | TO-252 | Supplier Package | DPAK |
| Pin Count | 3 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The K4T51163QJ-BCE7 chip is a high-performance dynamic random-access memory (DRAM) chip. It is designed to provide fast and efficient data storage and retrieval in various electronic devices such as computers, servers, and mobile devices. Its advanced technology and capacity make it suitable for demanding applications that require high-speed and reliable memory performance.
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Equivalent
The equivalent products of the K4T51163QJ-BCE7 chip are the MT41K512M8RH-107:E, MT41K512M16HA-107:E, and MT41K512M16HA-125:E chips. -
Features
The key features of K4T51163QJ-BCE7 include its capacity of 4GB, DDR3L SDRAM technology, operating voltage range of 1.35V, and a clock frequency of 1600MHz. It is a low-voltage, high-speed memory module suitable for various applications, such as laptops, desktops, and embedded systems. -
Pinout
The K4T51163QJ-BCE7 is a DDR3L SDRAM with a pin count of 96. It is commonly used in computer memory modules and offers a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte). It operates at a voltage of 1.35V, making it suitable for low-power applications. -
Manufacturer
Samsung is the manufacturer of the K4T51163QJ-BCE7. It is a multinational conglomerate company, specializing in various sectors such as electronics, shipbuilding, construction, and more. -
Application Field
The K4T51163QJ-BCE7 is a dynamic random-access memory (DRAM) chip commonly used in various applications, including computers, servers, laptops, and gaming consoles. It provides high-speed data storage and retrieval for these devices, thereby enhancing their performance and overall functionality. -
Package
The K4T51163QJ-BCE7 chip is in an FBGA package type. It has a 78-ball form and measures approximately 8mm by 10mm in size.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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