Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000MMDF2C03HDR2G
MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: MMDF2C03HDR2G
Fiche de données: MMDF2C03HDR2G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: 8-SOIC
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Statut RoHS:
État des stocks: 5 994 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
MMDF2C03HDR2G Description générale
The MMDF2C03HDR2G is a reliable and efficient option for designers and engineers in need of a power MOSFET solution for their low voltage, high speed switching applications. Its miniature size, low RDS(on), and true logic level performance make it an ideal choice for applications where power efficiency is crucial. The device's ability to withstand high energy in the avalanche and commutation modes, paired with its low reverse recovery time for the drain-to-source diode, sets it apart from other options on the market
Caractéristiques
- Soft Recovery for Reduced EMI
- High Efficiency with Low VF
- Pulse by Pulse Current Limiting
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | onsemi | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 4.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 70 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 2 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | onsemi | Configuration | Dual |
| Fall Time | 23 ns, 194 ns | Forward Transconductance - Min | 3.6 S |
| Height | 1.5 mm | Length | 5 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 65 ns, 18 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns, 81 ns | Typical Turn-On Delay Time | 12 ns, 16 ns |
| Width | 4 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The MMDF2C03HDR2G is a MOSFET H-bridge power switch designed for high-speed switching applications. It offers low ON-resistance and space-saving packaging, making it ideal for use in automotive, industrial, and consumer electronics applications. This chip is capable of controlling high current and voltage levels effectively, improving system efficiency and performance.
-
Equivalent
The equivalent products of MMDF2C03HDR2G chip are FDMS86181 and FDMS86101BZ. These are both dual N-channel PowerTrench MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
MMDF2C03HDR2G is a high-gain, low noise figure GaAs MESFET RF amplifier with a frequency range of 5 to 500 MHz. It offers high linearity, high gain, and low power consumption, making it suitable for various communication and RF applications. -
Pinout
The MMDF2C03HDR2G is a dual 2:1 Mux/Demux switch with a pin count of 56. It is used for data routing and signal switching applications in communication systems and networking equipment. It features high-speed operation and low crosstalk performance. -
Manufacturer
The manufacturer of MMDF2C03HDR2G is ON Semiconductor, which is a semiconductor manufacturing company. They design and produce a wide range of power management, connectivity, and analog semiconductor products for a variety of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
MMDF2C03HDR2G is a high-power, low-loss Schottky diode commonly used in applications such as RF detector circuits, high-frequency mixers, and signal demodulation. Its high power handling capability makes it suitable for use in radar systems, microwave communications, and other high-frequency applications requiring fast switching speeds and low noise. -
Package
The MMDF2C03HDR2G chip is housed in a DFN-8 (2mm x 2mm) package. It is a high-speed, high-voltage MOSFET driver with a peak output current of 2A, designed for driving small and medium power N-channel MOSFETs in high-speed switching applications.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
