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ST PD55003-E

RF Mosfet 12.5 V 50 mA 500MHz 17dB 3W 10-PowerSO

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Stmicroelectronics Nv

Pièce Fabricant #: PD55003-E

Fiche de données: PD55003-E Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: PowerSO-10RF (formed lead)

type de produit: RF FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 3 939 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour PD55003-E ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

PD55003-E Description générale

The PD55003-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The PD55003 boasts excellent gain, linearity and reliability thanks to ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF.The PD55003’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radios.The PowerSO-10RF plastic package is designed for high reliability, and is the first JEDEC-approved, high power SMD package from ST. It has been optimized for RF requirements and offers excellent RF performance and ease of assembly.Mounting recommendations are provided in application note AN1294, available on www.st.com.

Caractéristiques

  • Excellent thermal stability
  • Common source configuration
  • POUT= 3 W with 17dB gain @ 500 MHz / 12.5 V

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: STMicroelectronics Product Category: RF MOSFET Transistors
RoHS: Details Transistor Polarity: N-Channel
Technology: Si Id - Continuous Drain Current: 2.5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V Rds On - Drain-Source Resistance: -
Operating Frequency: 1 GHz Gain: 17 dB
Output Power: 3 W Minimum Operating Temperature: - 65 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: PowerSO-10RF-Formed-4 Packaging: Tube
Brand: STMicroelectronics Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single Forward Transconductance - Min: 1 S
Height: 3.5 mm Length: 7.5 mm
Moisture Sensitive: Yes Pd - Power Dissipation: 31.7 W
Product Type: RF MOSFET Transistors Series: PD55003-E
Factory Pack Quantity: 400 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: LDMOS FET Type: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Width: 9.4 mm
Unit Weight: 0.105822 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

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Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire PD55003-E PDF Télécharger

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