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ST STW20NM50FD
FAST DIODE integrated into this N-Channel Power MOSFET for improved switching performance
Marques: Stmicroelectronics
Pièce Fabricant #: STW20NM50FD
Fiche de données: STW20NM50FD Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
Statut RoHS:
État des stocks: 2 037 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $4,065 | $4,065 |
| 10 | $3,587 | $35,870 |
| 30 | $3,304 | $99,120 |
| 100 | $3,017 | $301,700 |
| 500 | $2,884 | $1442,000 |
| 1000 | $2,826 | $2826,000 |
En stock: 2 037 PC
STW20NM50FD Description générale
The STW20NM50FD power MOSFET is built to meet the rigorous demands of industrial and automotive applications. Its N-channel design and low on-resistance make it well-suited for high-power systems where efficiency and reliability are crucial. The fast diode feature further enhances its performance, allowing for fast and efficient switching in various power control applications
Caractéristiques
- Fast switching performance
- Low power consumption
- Efficient thermal management
Application
- Electric vehicles
- Battery management systems
- UPS systems
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 250 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 53 nC | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 214 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | FDmesh |
| Series | STW20NM50FD | Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single | Fall Time | 15 ns |
| Height | 20.15 mm | Length | 15.75 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 20 ns |
| Factory Pack Quantity | 600 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Width | 5.15 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The STW20NM50FD chip is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It has a low on-resistance and low gate charge, making it suitable for use in various power conversion systems, motor control, and lighting applications. The chip offers improved efficiency and performance in these applications, making it a popular choice among designers.
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Equivalent
Some equivalent products to the STW20NM50FD chip, which is a 500V N-Channel MOSFET, include the FQA9N50C, IRF840, IRF530, and IRF110. These chips have similar specifications and can be used as alternatives in various applications requiring a 500V N-Channel MOSFET. -
Features
STW20NM50FD is a power MOSFET transistor designed for efficient energy conversion. It features a low on-resistance, making it highly efficient and suitable for high-power applications. It has a high switching speed and a low gate charge, providing improved performance and reducing power losses. -
Pinout
The STW20NM50FD is a power MOSFET transistor with a TO-247 package. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the switching of the transistor, the Drain pin is connected to the positive voltage, and the Source pin is connected to the negative voltage. -
Manufacturer
STW20NM50FD is manufactured by STMicroelectronics, a global semiconductor company. They design, develop, and provide a broad range of semiconductor solutions, including power MOSFETs like the STW20NM50FD. STMicroelectronics serves various industries like automotive, industrial, consumer electronics, and more, providing products that contribute to the development of smart and sustainable technologies. -
Application Field
The STW20NM50FD is a power MOSFET transistor typically used in various applications including electric vehicle powertrain, server power supplies, solar inverters, and industrial automation. Its low on-resistance and high current capability make it suitable for high power applications that require efficient switching and thermal performance. -
Package
The STW20NM50FD chip is available in a TO-247 package type, which is a through-hole package with a metal tab for heat dissipation. The dimensions of the chip can be found in the datasheet, but it typically measures around 15.65mm x 5.2mm x 20.97mm, with slight variations depending on manufacturing tolerances.
Fiche de données PDF
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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