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ST STD11NM60N

Advanced N-channel power MOSFET offering excellent switching speed and low thermal resistance

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Stmicroelectronics

Pièce Fabricant #: STD11NM60N

Fiche de données: STD11NM60N Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TO-252-3

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 2 170 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour STD11NM60N ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

STD11NM60N Description générale

What sets the STD11NM60N apart is its exceptional switching performance and low capacitance, resulting in reduced switching losses and improved overall efficiency. Furthermore, it delivers a high level of reliability and robustness, making it an excellent choice for critical applications where dependable operation is a must

std11nm60n

Caractéristiques

  • Advanced signal processing capabilities
  • Low latency data transmission
  • Fast start-up time guaranteed
  • Robust against electrical surges
  • Precise voltage regulation ensured

Application

  • Switching power supplies
  • Motor control
  • Lighting applications
  • Automotive systems
  • Industrial applications
  • General purpose inverters
  • Converter circuits
  • DC-DC converters
  • Uninterruptible power supplies
  • Electric vehicles

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Id - Continuous Drain Current 10 A Rds On - Drain-Source Resistance 450 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 25 V, + 25 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 90 W
Channel Mode Enhancement Series STB11NM60
Brand STMicroelectronics Configuration Single
Fall Time 12 ns Height 2.4 mm
Length 6.6 mm Product Type MOSFET
Rise Time 18.5 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 50 ns Typical Turn-On Delay Time 22 ns
Width 6.2 mm

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
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Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

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1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The STD11NM60N is a power MOSFET chip used in electronic devices for high-speed switching applications. It is designed to handle high currents and voltages efficiently, making it ideal for power supplies, motor control, and other industrial applications. This chip offers low on-resistance and high thermal performance, making it a reliable choice for demanding power management tasks.
  • Equivalent

    Equivalent products to the STD11NM60N chip include STP11NM60N, STE11NM60N, and STH11NM60N. These chips are all from the same STMicroelectronics Power Mosfet family and have similar specifications and features. It is essential to check the datasheets of each chip to ensure compatibility with the specific application.
  • Features

    1. N-channel power MOSFET for high efficiency 2. Low gate charge for fast switching 3. Low on-resistance for reduced power consumption 4. Avalanche energy rating for robustness 5. High dv/dt capability for reliable operation 6. Suitable for SMPS, motor control, and lighting applications
  • Pinout

    The STD11NM60N is a Power MOSFET with a pin count of 3 pins. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. It is used for switching applications in power supplies, motor control, lighting, and other power management systems.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the STD11NM60N is STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor solutions for various applications, including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The STD11NM60N is commonly used in switching power supplies, lighting controls, motor control applications, consumer electronics, and automotive systems. It is suitable for high-voltage applications where low on-state resistance and fast switching speeds are required. With its high current carrying capacity and low gate charge, it is ideal for power management purposes in various electronic devices.
  • Package

    The STD11NM60N chip comes in a TO-252 package, with a TO-251 form, and measures 6.2mm x 6.8mm in size.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire STD11NM60N PDF Télécharger

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    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

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