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$5000ST STD14NM50N
Product Description: STD14NM50N - This MOSFET is a single N-channel device designed for applications requiring high voltage and low on-resistance
Marques: Stmicroelectronics
Pièce Fabricant #: STD14NM50N
Fiche de données: STD14NM50N Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-252-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 2 077 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STD14NM50N Description générale
STMicroelectronics brings you the STD14NM50N, a N-channel Power MOSFET tailored for high voltage, fast switching applications like power supplies, motor control, and lighting systems. Boasting a drain-source voltage (Vds) of 500V and a continuous drain current (Id) of 14A, this MOSFET is up to the task of handling moderate to high power loads. With a low on-resistance (Rds(on)) of 0.49 ohms, power losses are minimized and efficiency is improved in applications where low voltage drop is crucial. Moreover, the gate threshold voltage (Vgs(th)) of 3V to 5V and gate-source voltage (Vgs) of ±20V make it compatible with standard logic level signals, ensuring reliable operation within the specified voltage range. Housed in a TO-252 (DPAK) package, this MOSFET offers excellent thermal performance and easy mounting on a PCB. Supported by a maximum junction temperature of 150°C, it provides a comfortable margin for thermal management in high-power applications
Caractéristiques
- High reliability and quality
- Fast response time
- Low noise and vibration
Application
- Security camera systems
- Home automation solutions
- Commercial refrigeration units
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 900 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 42 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
| Tradename | MDmesh | Series | STD14NM50N |
| Brand | STMicroelectronics | Configuration | Single |
| Fall Time | 32 ns | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 9 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MDmesh II Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Pièces équivalentes
Pour le STD14NM50N composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:
Numéro d'article
Marques
Emballer
Description
Numéro d'article : IRF840
Marques :
Emballer :
Description :
Numéro d'article : FQP27P06
Marques :
Emballer : TO-220
Description : MOSFET 60V P-Channel QFET
Numéro d'article : IRL540
Marques :
Emballer :
Description :
Numéro d'article : STP14NM50N
Marques :
Emballer : TO-220
Description : N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V MDmesh, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics
Numéro d'article : STW14NK50Z
Marques :
Emballer : TO-247
Description : N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET
Points de pièce
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The STD14NM50N is a power MOSFET chip designed for use in high-voltage applications. It has a low on-resistance and high switching speeds, making it ideal for power conversion circuits. This chip is commonly used in electronic devices such as computer power supplies, LED drivers, and motor control systems.
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Equivalent
The equivalent products of the STD14NM50N chip are STF14NM50N, STP14NM50N, or STB14NM50N. These are MOSFET transistors with similar specifications and performance levels to the STD14NM50N chip. -
Features
1. N-channel MOSFET 2. 500V Drain-Source Voltage 3. 14A Continuous Drain Current 4. Low on-resistance 5. Low gate charge 6. High avalanche ruggedness 7. Suitable for high power applications. -
Pinout
The STD14NM50N is a MOSFET transistor with a TO-252 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It is rated for a maximum voltage of 500V and a continuous drain current of 14A. -
Manufacturer
STMicroelectronics is the manufacturer of the STD14NM50N. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a variety of integrated circuits and discrete devices for a wide range of applications in industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The STD14NM50N is commonly used in various applications such as power supplies, lighting, motor control, and automotive applications. Its high voltage rating, low on-resistance, and fast switching characteristics make it ideal for these applications where high efficiency and reliability are crucial. -
Package
The STD14NM50N chip comes in a TO-252 package type, with a through-hole form. It has a size of approximately 10mm x 4mm x 3mm.
Fiche de données PDF
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