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$5000ST STB80NF55-06T4
Robust power switching device with 3-pin D2PAK package and tab
Marques: Stmicroelectronics
Pièce Fabricant #: STB80NF55-06T4
Fiche de données: STB80NF55-06T4 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: D2PAK-3 (TO-263-3)
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 2 581 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STB80NF55-06T4 Description générale
- The STB80NF55-06T4 MOSFET stands out in the market for its impressive combination of power, efficiency, and reliability. Whether you're looking to optimize motor control systems, enhance power supply units, or elevate inverter performance, this silicon carbide MOSFET is designed to meet and exceed your expectations, delivering unmatched quality and performance in power electronics
Caractéristiques
- High-performance power module
- Silicon-based switching device
- Fast-switching voltage regulator
Application
- Various applications
- High power devices
- Energy-efficient solutions
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 189 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | STB80NF55, STP80NF55 |
| Brand | STMicroelectronics | Configuration | Single |
| Fall Time | 65 ns | Forward Transconductance - Min | 150 S |
| Height | 4.6 mm | Length | 10.4 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 155 ns |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 125 ns | Typical Turn-On Delay Time | 27 ns |
| Width | 9.35 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The STB80NF55-06T4 is a power MOSFET chip designed by STMicroelectronics. It features a low on-resistance and can handle high current levels effectively. This chip is commonly used in various applications that require efficient power management, such as automotive, consumer electronics, and industrial systems.
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Equivalent
Some equivalent products of the STB80NF55-06T4 chip are IRFZ44N, IRF530N, IRL540N, and IRFZ44NLPBF. These chips are also power MOSFETs with similar voltage and current ratings. -
Features
The STB80NF55-06T4 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage rating of 55V. It has a continuous drain current of 80A and a low on-resistance of 6mΩ. This transistor is designed for high power applications, offering efficient switching and low conduction losses. -
Pinout
The STB80NF55-06T4 is a Power MOSFET with a pin count of 4. It is used for power switching applications and offers low on-resistance and fast switching speed. -
Manufacturer
STB80NF55-06T4 is manufactured by STMicroelectronics. It is a global semiconductor company that designs, develops, and manufactures a wide range of products, including power MOSFETs like the STB80NF55-06T4. STMicroelectronics specializes in producing cutting-edge semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and more. -
Application Field
The STB80NF55-06T4 is a power MOSFET transistor that can be used in various application areas, including motor control, industrial automation, robotics, and switching power supplies. It is designed to handle high currents and voltages, making it suitable for applications that require efficient and reliable power switching. -
Package
The STB80NF55-06T4 chip is a power MOSFET transistor. It is encapsulated in a TO-263 package, also known as D2PAK or SOT404. The package size is approximately 10.16 mm x 10.16 mm.
Fiche de données PDF
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