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vishay SI1902CDL-T1-GE3
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI1902CDL-T1-GE3
Fiche de données: SI1902CDL-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-363-6
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 5 | $0,165 | $0,825 |
| 50 | $0,134 | $6,700 |
| 150 | $0,121 | $18,150 |
| 500 | $0,105 | $52,500 |
| 3000 | $0,097 | $291,000 |
| 6000 | $0,093 | $558,000 |
En stock: 9 458 PC
SI1902CDL-T1-GE3 Description générale
The Vishay SI1902CDL-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a drain-source voltage rating of 20V. It is designed to handle a continuous drain current of 1.1A, making it suitable for a variety of low power applications. With its 6-pin configuration, this MOSFET is easy to integrate into circuit designs. Additionally, it is RoHS compliant, ensuring that it meets the latest environmental standards
Caractéristiques
Application
High speed switching G1 G2Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 1.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 235 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V | Qg - Gate Charge: | 2 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 420 mW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI1 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Dual | Fall Time: | 10 ns |
| Height: | 0.75 mm | Length: | 2.05 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 13 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns | Width: | 2.05 mm |
| Part # Aliases: | SI1902CDL-T1-BE3 SI1958DH-T1-GE3 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI1902CDL-T1-GE3 chip is a high-performance RF amplifier designed for use in wireless communication and automotive radar applications. It features low noise, high gain, and a wide frequency range, making it ideal for boosting signal strength in various electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of SI1902CDL-T1-GE3 chip are SI1902CDL-T1-GE3GG and SI1902CDL-T1-P2-GE3. These chips are dual N-channel 30V (D-S) MOSFETs with low on-resistance and are commonly used in power management applications. -
Features
SI1902CDL-T1-GE3 is a P-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of -60V, continuous drain current of -6A, and low RDS(on) of 0.12 ohms. It is suitable for use in various applications such as load switching, power management, and battery protection due to its high efficiency and compact size. -
Pinout
The SI1902CDL-T1-GE3 is a dual N-channel integrated circuit with a pin count of 6. Pin 1 is the gate of the first N-channel MOSFET, Pin 2 is the source of the first N-channel MOSFET, Pin 3 is the drain of the first N-channel MOSFET, Pin 4 is the source/common connection, and Pins 5 and 6 are the drain and gate of the second N-channel MOSFET respectively. -
Manufacturer
The manufacturer of SI1902CDL-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and components for electronic devices. Vishay Siliconix is a leading supplier of power MOSFETs, power ICs, and analog switching regulators, catering to a wide range of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The SI1902CDL-T1-GE3 can be used in a variety of applications such as power management, voltage regulation, battery charging, and other power control circuits. It is suitable for portable electronics, industrial equipment, automotive systems, and other devices that require efficient power management solutions. -
Package
The SI1902CDL-T1-GE3 chip comes in a DFN-6 package type with a size of 2x2 mm and a form of Surface Mount.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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