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$5000vishay SI2312BDS-T1-E3
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Marques: vishay
Pièce Fabricant #: SI2312BDS-T1-E3
Fiche de données: SI2312BDS-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 1 783 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2312BDS-T1-E3 Description générale
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:850mV; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:2312; Current Id Max:5A; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:750µW; Pulse Current Idm:15A; SMD Marking:M2; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:850mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:0.85V; Voltage Vgs th Min:0.45V
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 31 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 450 mV |
| Qg - Gate Charge | 12 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min | 30 S | Height | 1.45 mm |
| Length | 2.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 30 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | SI2312BDS-T1-BE3 SI2312BDS-E3 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Points de pièce
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The SI2312BDS-T1-E3 is a chip commonly used in electronic devices for voltage regulation and power management. It is designed to provide efficient switching capabilities, allowing for better control and regulation of electrical power. The chip is compact in size, making it ideal for applications where space is limited.
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Features
The features of SI2312BDS-T1-E3 include a low on-resistance, high current handling capability, and low gate threshold voltage. It is a P-channel MOSFET transistor in a SOT-23 package with a voltage rating of -20V. -
Pinout
The SI2312BDS-T1-E3 is a MOSFET transistor with a 3-pin configuration. Pin count and function are as follows: Pin 1 = Gate (G), Pin 2 = Source (S), and Pin 3 = Drain (D). -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2312BDS-T1-E3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in manufacturing and supplying power management devices, microcontrollers, discrete semiconductors, and passive electronic components. -
Application Field
The SI2312BDS-T1-E3 is a small signal N-channel MOSFET transistor. It is commonly used in applications such as power management, voltage regulation, and signal amplification in electronic devices such as mobile phones, laptops, and audio systems. -
Package
The SI2312BDS-T1-E3 chip has a SOT-23 package type, with three pins. Its dimensions are approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
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